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美國商務(wù)部向英特爾提供78.6億美元直接撥款

美國商務(wù)部向英特爾提供78.6億美元直接撥款

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月26日，英特爾公司宣布，美國商務(wù)部和英特爾已根據(jù)《美國芯片與科學(xué)法案》達(dá)成最終協(xié)議，向英特爾提供78.6億美元的直接撥款。

我國首枚可回收火箭朱雀三號有望明年運(yùn)營

12 月 5 日消息，據(jù)央視新聞報(bào)道，今年 9 月，朱雀三號火箭完成 10 公里級垂直起降飛行試驗(yàn)。朱雀三號預(yù)計(jì)明年下半年發(fā)射，有望成為中國第一枚投入運(yùn)營的可回收運(yùn)載火箭。藍(lán)箭航天創(chuàng)始人張昌武在《魯健訪談》中介紹，2030 年前后能實(shí)現(xiàn)兩級重復(fù)使用火箭的工程落地。

發(fā)表于：12/6/2024

鴻?？萍及l(fā)力布局護(hù)理機(jī)器人領(lǐng)域

12 月 5 日消息，鴻?？萍技瘓F(tuán) B 事業(yè)群暨數(shù)字健康總經(jīng)理姜志雄今天表示，集團(tuán)正在依循「3+3」核心戰(zhàn)略展開相關(guān)規(guī)劃，布局護(hù)理機(jī)器人產(chǎn)品。他強(qiáng)調(diào)，「護(hù)理機(jī)器人」正是鴻海董事長劉揚(yáng)偉的重要布局，希望藉此整合 AI 技術(shù)，幫助護(hù)工及醫(yī)護(hù)人員解決機(jī)械性工作問題，但一切尚處于規(guī)劃當(dāng)中，暫時(shí)還無法對外透露太多細(xì)節(jié)。

發(fā)表于：12/6/2024

蘋果OLED屏幕路線圖曝光

12 月 6 日消息，根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Omdia 公布新產(chǎn)品路線圖，蘋果計(jì)劃在 2026 年起，為 iPad mini、iPad Air 和 MacBook Air 等產(chǎn)品線推進(jìn)搭載 OLED 屏幕。

發(fā)表于：12/6/2024

消息稱Intel正尋求外部空降CEO

基辛格突然退休 Intel正尋求外部空降CEO！候選人包括陳立武、Marvell CEO等

發(fā)表于：12/5/2024

Marvell推出業(yè)界首款3nm制程PAM4光學(xué)DSP芯片Ara

12 月 4 日消息，Marvell 美滿電子美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出業(yè)界首款 3nm 制程 PAM4 光學(xué) DSP 芯片 Ara。該芯片可將 1.6Tbps 高速光模塊的功耗降低 20% 以上，不僅降低了運(yùn)行成本還能在受限功耗下滿足 AI 工作負(fù)載對高性能光通信的需求。

發(fā)表于：12/5/2024

國內(nèi)首款磁陽極霍爾電推進(jìn)產(chǎn)品成功在軌應(yīng)用

12月4日消息，據(jù)“中國航天科技集團(tuán)”官微發(fā)文，由中國航天科技集團(tuán)有限公司六院801所研制的國內(nèi)首款磁陽極霍爾推力器在國際上實(shí)現(xiàn)首次飛行應(yīng)用。 11月18日～11月20日，磁陽極霍爾電推進(jìn)產(chǎn)品完成首次在軌點(diǎn)火運(yùn)行，產(chǎn)品工作正常、穩(wěn)定，各項(xiàng)遙測參數(shù)均在設(shè)計(jì)范圍，在軌測定性能與地面標(biāo)定數(shù)據(jù)一致，滿足總體要求。本次成功在軌飛行，有力支撐了該型產(chǎn)品的后續(xù)應(yīng)用。

發(fā)表于：12/5/2024

恩智浦計(jì)劃為客戶建立一條中國芯片供應(yīng)鏈

12月4日消息，今天，荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦與中國臺灣合作伙伴世界先進(jìn)的VSMC合資公司，在新加坡動(dòng)工興建一家12英寸（300mm）晶圓廠。恩智浦執(zhí)行副總裁Andy Micallef在儀式上透露，恩智浦還在努力尋找一種方式來服務(wù)那些需要中國產(chǎn)能的客戶，“我們將建立一條中國供應(yīng)鏈”。 Micallef表示，中國是世界上最大的電動(dòng)汽車和電信市場，恩智浦在試圖找到一種方式，為那些需要在中國境內(nèi)生產(chǎn)能力的客戶提供服務(wù)。式成立。

發(fā)表于：12/5/2024

三星將推出400+層第10代V-NAND

12月4日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，三星將在即將舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上展示新的超過400層3D NAND Flash，接口速度為5.6 GT/s。報(bào)道稱，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三級單元，或每個(gè)單元 3 位）架構(gòu)，每個(gè)芯片的容量為1Tb（128 GB）。三星聲稱其新的超400層 3D TLC NAND Flash的存儲密度為 28 Gb/mm²，僅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存儲密度為 28.5 Gb/mm²，是目前世界上存儲密度最高的NAND Flash。

發(fā)表于：12/5/2024

中國汽車芯片聯(lián)盟白名單2.0正式發(fā)布

12 月 4 日消息，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（簡稱“中國汽車芯片聯(lián)盟”）本周一宣布，聯(lián)盟汽車芯片白名單 2.0 發(fā)布，覆蓋車身、底盤、動(dòng)力、座艙、智駕、整車控制等各應(yīng)用領(lǐng)域中的 10 大類芯片。

發(fā)表于：12/4/2024

諾基亞貝爾聯(lián)合中國移動(dòng)完成業(yè)界首個(gè)5G-A L4S技術(shù)驗(yàn)證

12 月 3 日消息，諾基亞貝爾今日宣布，聯(lián)合中國移動(dòng)研究院在北京研發(fā)實(shí)驗(yàn)室完成了業(yè)界首個(gè)基于商用應(yīng)用的端到端 5G-A L4S 技術(shù)驗(yàn)證，充分驗(yàn)證 L4S 及系列增強(qiáng)技術(shù)的可行性和網(wǎng)絡(luò)性能增益，該技術(shù)可有效降低網(wǎng)絡(luò)排隊(duì)等待時(shí)延，保障用戶的基本流暢體驗(yàn)。注：L4S（Low Latency, Low Loss, Scalable throughput）是一種低延遲、低損耗的碼率自適應(yīng)技術(shù)，可應(yīng)用于 XR 等沉浸式業(yè)務(wù)的碼率自適應(yīng)調(diào)整，通過網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用程序間的協(xié)作，避免網(wǎng)絡(luò)隊(duì)列擁塞，降低數(shù)據(jù)包的網(wǎng)絡(luò)傳輸時(shí)延，是 5G-A 重要技術(shù)方向。

發(fā)表于：12/4/2024