《電子技術(shù)應(yīng)用》
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安森美半導(dǎo)體擴充串行EEPROM產(chǎn)品陣容

新推出的高密度器件用于汽車、醫(yī)療及消費市場
2011-06-24
作者:安森美半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞: 封裝 EEPROM 汽車 工藝制造

  應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出新的電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)器件,用于汽車、醫(yī)療及消費市場。
  
  這些EEPORM器件包括高密度的512千比特( kb) CAT24C512和1兆比特(Mb) CAT24M01,均支持1.8伏(V)至5.5 V的供電電壓范圍。CAT24C512和CAT24M01分別采用256和128字節(jié)頁寫緩存。兩款器件均支持Standard 100千赫茲(kHz)、Fast 400 kHz和Fast-Plus 1兆赫茲(MHz)串行I2C協(xié)定。這些器件由安森美半導(dǎo)體擁有及運營的Gresham工廠以0.18微米(µm)低功耗CMOS工藝制造。
  
  此外,公司還推出了通過AEC-Q100認證,用于汽車設(shè)計的一系列EEPROM。這些器件的供電電壓范圍為2.5 V至5.5 V,支持Standard及Fast I2C協(xié)定。64 kb的CAV24C64和32 kb的CAV24C32均含32字節(jié)頁寫緩存,而2 kb的CAV24C02、4 kb的CAV24C04、8 kb的CAV24C08和16 kb的CAV24C16均內(nèi)設(shè)16字節(jié)頁寫緩存。這些器件同樣由安森美半導(dǎo)體Gresham工廠以0.35 µm工藝制造。
  
  所有全新的EEPROM器件的數(shù)據(jù)保持期達100年,支持100萬次的編程/擦除周期。這些串行EEPROM的工作溫度范圍為−40 ?C至+125 ?C。
  
  今年稍后時間,將會有更多產(chǎn)品添加到這系列,包括帶SPI接口的高密度版本及汽車版本器件,與I2C接口產(chǎn)品相輔相成。
  
  安森美半導(dǎo)體EEPROM產(chǎn)品營銷總監(jiān)Dev Nair說:“安森美半導(dǎo)體位于美國俄勒岡州Gresham的先進工廠提供了先進的內(nèi)部制造技術(shù)和充足的產(chǎn)能,穩(wěn)定EEPROM產(chǎn)品的供應(yīng)鏈。我們非常高興能夠為廣泛客戶提供高密度及通過汽車認證的I2C EEPROM,并將進一步擴充產(chǎn)品系列,于今年稍后推出SPI EEPROM產(chǎn)品。”
  
封裝及價格
  CAT24C512和CAT24M01分別采用無鉛、符合RoHS指令的SOIC-8、TSSOP-8及PDIP-8封裝,每10,000片批量的CAT24C512單價為0.90美元,而CAT24M01為1.50美元。CAV24C02、 CAV24C04、CAV24C08、CAV24C16、CAV24C32和CAV24C64采用無鉛、符合RoHS指令的TSSOP-8和SOIC-8封裝,單價介于0.27美元至0.67美元之間。
 

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