碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，目前世界各國都在SiC領(lǐng)域投入重資，意圖能夠在硅基半導(dǎo)體以外保持自己國家在IC產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先。同樣，SiC也成為了PCIM Asia 2019(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)的亮點(diǎn)之一，不管是會議還是展覽，各大廠商都將SiC作為重點(diǎn)。

　　在PCIM Asia 2019上，作為全球知名的半導(dǎo)體廠商，羅姆半導(dǎo)體（ROHM Semiconductor）也在SiC領(lǐng)域“大秀肌肉”，展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域以世界先進(jìn)的SiC元器件為核心的電源解決方案。

　　羅姆半導(dǎo)體PCIM Asia 2019展臺

　　加速電動汽車革新

　　由于SiC器件相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更加高能效、高頻率，同時(shí)元器件體積更小，在新能源汽車領(lǐng)域受到廣泛的歡迎。因此，SiC也被視為未來電動汽車充電模塊和電動模塊中的關(guān)鍵先進(jìn)電子材料。

　　在電動汽車全球頂級賽事"FIA Formula E錦標(biāo)賽”上，羅姆半導(dǎo)體為文圖瑞電動方程式車隊(duì)(VENTURI Formula E Team)提供"全SiC"功率模塊，助力賽車實(shí)現(xiàn)更高性能。本次PCIM Asia 2019，羅姆半導(dǎo)體也帶來了相關(guān)的產(chǎn)品展示，羅姆半導(dǎo)體提供的第4 賽季逆變器相較于過往第2賽季的逆變器有了大幅度的提升，成功實(shí)現(xiàn)43％的小型化與6kg的輕量化。

　　第2賽季逆變器

　　第4 賽季逆變器

　　除了引人矚目的"全SiC"功率模塊，在汽車方面，羅姆半導(dǎo)體還展出了面向車載及工業(yè)設(shè)備的內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器。根據(jù)羅姆半導(dǎo)體展臺人員介紹稱，該驅(qū)動器采用羅姆獨(dú)創(chuàng)的微細(xì)加工技術(shù)，開發(fā)出片上變壓器工藝。進(jìn)而成功開發(fā)出小型、內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器。

　　面向車載及工業(yè)設(shè)備的內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器

　　豐富的SiC產(chǎn)品組合

　　除了汽車領(lǐng)域，包括照明、家用電器、消費(fèi)電子設(shè)備、智能電網(wǎng)以及工業(yè)領(lǐng)域都有SiC元器件典型的應(yīng)用場景。面對諸多不用的應(yīng)用需求，羅姆半導(dǎo)體在SiC元器件豐富度方面也展示了自己的實(shí)力。

　　在PCIM Asia 2019上，羅姆半導(dǎo)體亮點(diǎn)展品包括：

　　·1700V高耐壓SiC MOSFET

　　·搭載ROHM SiC芯片的SiC MOSFET功率模塊

　　·第3代Field Stop Trench IGBT

　　·SiC MOSFET驅(qū)動用準(zhǔn)諧振AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC

　　·搭載SiC TrenchMOS的5kW絕緣雙方向DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　·運(yùn)動控制用FA逆變器/AC伺服方框圖

　　·SiC功率元器件應(yīng)用案例

　　1700V高耐壓SiC MOSFET

　　展臺上，羅姆半導(dǎo)體的工作人員和大家詳細(xì)介紹了其展出的溝槽式SiC MOSFET。根據(jù)介紹人員的描述，溝槽式SiC MOSFET是第三代產(chǎn)品，相較于第二代產(chǎn)品有諸多方面的提升。相較于IGBT，其開關(guān)時(shí)的損耗降低了73%，且擁有更好的反向恢復(fù)工作特性。

　　溝槽式SiC MOSFET

　　此外，羅姆半導(dǎo)體展出的AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC也備受關(guān)注。羅姆半導(dǎo)體工作人員表示，該控制IC是世界首款搭載SiC MOSFET的驅(qū)動專用柵極驅(qū)動電路，搭配豐富的保護(hù)電路，有助于提高可靠性。

　　AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC

　　當(dāng)然，除了羅姆半導(dǎo)體自己的產(chǎn)品，展臺上我們也看到了羅姆半導(dǎo)體和合作伙伴一起打造的相關(guān)解決方案。

合作展品