目前全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過10萬億美元，在全球半導體芯片缺貨漲價的趨勢下，各大芯片公司開啟了硬核競爭模式：三星首發(fā)3nm，IBM推出2nm，臺積電突破1nm，而英特爾這邊，還在10nm邊緣徘徊。

　　目前全球的IT產(chǎn)業(yè)一年的規(guī)模超過10萬億美元，在全球半導體芯片缺貨漲價的趨勢下，各大芯片公司開啟了硬核競爭模式：三星首發(fā)3nm，IBM推出2nm，臺積電突破1nm，而英特爾這邊，還在10nm邊緣徘徊。

　　臺積電、三星這兩大代工巨頭在芯片制程上不斷前進，你追我趕，再次印證了中國互聯(lián)網(wǎng)市場的規(guī)律，老大和老二打架，把老三intel甩到了身后。

　　三星：3nm

　　3月份的時候，三星全球首發(fā)了3nm的芯片，這是一顆3nm的 SRAM芯片，容量達到了256GB，但面積只有56平方毫米，采用了GAAFET晶體管工藝。

　　三星這顆3nm的芯片推出后，很多人表示，這次三星可能要領先于臺積電了，因為三星這次確實在技術上似乎領先了，畢竟使用GAAFET工藝，而臺積電之前表示3nm芯片還使用FinFET晶體管工藝。

　　IBM：2nm

　　前不久，IBM全球首發(fā)了一顆2nm工藝的芯片，與三星的3nm芯片一樣，采用的是GAAFET晶體管技術。

　　Source：IBM

　　IBM的這顆芯片，晶體管密度達到了3.33MTr /mm²，也就是3.3億個每平方毫米。這個密度相比于臺積電、三星公布的3nm技術，先進了一大截。

　　很多認為在這波競賽中，似乎臺積電落后了，畢竟三星3nm芯片首發(fā)了，IBM的2nm芯片也有了，臺積電還沒動靜啊。

　　臺積電1nm重大突破

　　臺積電也在近日表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

　　臺積電是與臺大、美國麻省理工學院合作研究，發(fā)現(xiàn)了用二維材料結合「半金屬鉍（Bi）」能達極低電阻，接近量子極限。

　　利用這種技術，有助實現(xiàn)半導體1nm以下制程挑戰(zhàn)，因為它能夠解決二維材料高電阻及低電流等問題。

　　從實際來看，除了三星的3nm技術是基本靠譜，明年可量產(chǎn)的技術外，像IBM的2nm，還有臺積電的這個「半金屬鉍（Bi）」技術，更多的還是在理論階段，但這無不表明，芯片戰(zhàn)爭真的無止境。

　　Intel：10nm

　　Intel的桌面和服務器CPU處理器一直沒有實現(xiàn)更先進的制程，今年新CEO基爾辛格執(zhí)掌大印后才開啟技術路線，預計今年將推出10nm，7nm已經(jīng)take in。

　　今年下半年，Intel將推出代號為Alder Lake的12代酷睿處理器，升級10納米ESF工藝和Golden Cove架構，首次使用大小核架構，最多16核24線程。

　　在服務器領域中，Intel推出了14nm工藝的Cooper Lake處理器，也就是第三代至強可擴展處理器，最多28核心56線程（八路就是最多224核心448線程），部分型號增加了核心數(shù)量，同時頻率更高，基準頻率提升至最高3.1GHz，單核睿頻加速最高則可達4.3GHz，三級緩存最多38.5MB（每核心對應1.375MB），熱設計功耗150-250W。

　　結語

　　當然Intel的處理器架構與其他Arm架構有所不同，制程也不能用簡單的數(shù)字進行比較。三星的3nm可能是目前能夠最快量產(chǎn)的制程，臺積電的1nm也只是取得重大突破，離實際量產(chǎn)應該還有一段距離。

　　不過，制程之爭已經(jīng)成了芯片設計與代工領域最重要的方式。