4 月 14 日消息，《韓聯(lián)社》當(dāng)?shù)貢r間昨日報道稱，美光正在加速采購韓國半導(dǎo)體設(shè)備廠商韓美半導(dǎo)體（HANMI Semiconductor）所產(chǎn) TC 鍵合設(shè)備，為 12Hi HBM3E 的擴(kuò)展建立設(shè)備基礎(chǔ)。
報道表示，美光去年對韓美半導(dǎo)體 TC 鍵合機(jī)的采購量約為 30~40 臺，而今年上半年的訂單規(guī)模就超過了這一水平。據(jù)悉另一家 TC 鍵合設(shè)備供應(yīng)商日本新川 SHINKAWA 的機(jī)臺僅能滿足 8Hi 鍵合的需求，唯有韓美半導(dǎo)體的產(chǎn)品能實現(xiàn) 12Hi 的 TC 鍵合。
▲ 韓美半導(dǎo)體的 HBM 內(nèi)存 TC 鍵合設(shè)備
另一家韓媒 ChosunBiz 的報道指出，美光有望到今年底將 HBM 內(nèi)存的產(chǎn)量提升到每月 6 萬片晶圓，這接近 HBM 領(lǐng)域龍頭 SK 海力士現(xiàn)有水平的一半，有助于美光實現(xiàn) HBM 市占齊平整體 DRAM 內(nèi)存的目標(biāo)。
此外，美光計劃 2026 年在新加坡、日本廣島美國愛達(dá)荷州工廠制造 HBM，美國紐約州工廠的 HBM 產(chǎn)線也將于 2027 年投運。
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