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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

三星將推出400+層第10代V-NAND

12月4日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，三星將在即將舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上展示新的超過(guò)400層3D NAND Flash，接口速度為5.6 GT/s。報(bào)道稱，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三級(jí)單元，或每個(gè)單元 3 位）架構(gòu)，每個(gè)芯片的容量為1Tb（128 GB）。三星聲稱其新的超400層 3D TLC NAND Flash的存儲(chǔ)密度為 28 Gb/mm²，僅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存儲(chǔ)密度為 28.5 Gb/mm²，是目前世界上存儲(chǔ)密度最高的NAND Flash。

發(fā)表于：12/5/2024

諾基亞貝爾聯(lián)合中國(guó)移動(dòng)完成業(yè)界首個(gè)5G-A L4S技術(shù)驗(yàn)證

12 月 3 日消息，諾基亞貝爾今日宣布，聯(lián)合中國(guó)移動(dòng)研究院在北京研發(fā)實(shí)驗(yàn)室完成了業(yè)界首個(gè)基于商用應(yīng)用的端到端 5G-A L4S 技術(shù)驗(yàn)證，充分驗(yàn)證 L4S 及系列增強(qiáng)技術(shù)的可行性和網(wǎng)絡(luò)性能增益，該技術(shù)可有效降低網(wǎng)絡(luò)排隊(duì)等待時(shí)延，保障用戶的基本流暢體驗(yàn)。注：L4S（Low Latency, Low Loss, Scalable throughput）是一種低延遲、低損耗的碼率自適應(yīng)技術(shù)，可應(yīng)用于 XR 等沉浸式業(yè)務(wù)的碼率自適應(yīng)調(diào)整，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用程序間的協(xié)作，避免網(wǎng)絡(luò)隊(duì)列擁塞，降低數(shù)據(jù)包的網(wǎng)絡(luò)傳輸時(shí)延，是 5G-A 重要技術(shù)方向。

發(fā)表于：12/4/2024

TrendForce預(yù)計(jì)2028年Micro LED芯片產(chǎn)值達(dá)4.89億美元

12 月 3 日消息，科技行業(yè)分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢今日表示，2024 年 Micro LED 芯片產(chǎn)值預(yù)估將達(dá) 3880 萬(wàn)美元（注：當(dāng)前約 2.82 億元人民幣）；而在 AR 眼鏡全彩方案成熟化、車用顯示需求具體化兩大趨勢(shì)的推動(dòng)下，這一規(guī)模有望到 2028 年迅速成長(zhǎng)至 4.89 億美元（當(dāng)前約 35.59 億元人民幣）。

發(fā)表于：12/4/2024

DigiKey12月盛大啟幕：年度DigiWish佳節(jié)獻(xiàn)禮助力推動(dòng)科技創(chuàng)新

DigiKey是全球領(lǐng)先的電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品庫(kù)存分銷商，提供種類齊全的產(chǎn)品以供即時(shí)發(fā)貨。DigiKey欣然宣布，將于2024年12月1日全球啟動(dòng)其第16屆年度DigiWish佳節(jié)獻(xiàn)禮活動(dòng)，而中國(guó)區(qū)專屬活動(dòng)也會(huì)緊接于12月2日啟動(dòng)。作為公司持續(xù)助力工程師、設(shè)計(jì)師和制造者加速創(chuàng)新與發(fā)展的使命之一，DigiKey提前拉開節(jié)日序幕，將選出24名幸運(yùn)獲獎(jiǎng)?wù)摺?

發(fā)表于：12/4/2024

模擬芯片巨頭ADI一年內(nèi)已裁員2000人

12月4日消息，根據(jù)美國(guó)芯片大廠Analog Devices（ADI）公司提交的年度報(bào)告，截至11月2日，ADI共有約24000名員工。這比ADI公司截至2023年10月28日的全球員工數(shù)量減少2000人，下降幅度約8%。這也意味著ADI在過(guò)去一年里可能裁員了2000人。

發(fā)表于：12/4/2024

英特爾五大重組方案浮出水面

12 月 3 日，據(jù)彭博社報(bào)道，英特爾 CEO 帕特?基辛格 (Pat Gelsinger) 的突然離職為這家陷入困境的公司提供了一個(gè)新的機(jī)會(huì)，讓它可以重新考慮潛在交易選項(xiàng)，其中包括基辛格在執(zhí)掌公司時(shí)拒絕的一些方案。

發(fā)表于：12/4/2024

臺(tái)積電回應(yīng)美國(guó)升級(jí)對(duì)華芯片出口管制

12月2日，美國(guó)拜登政府公布了對(duì)中國(guó)大陸獲取芯片和人工智能（AI）關(guān)鍵部件的新限制，業(yè)界關(guān)注對(duì)臺(tái)積電的影響。臺(tái)積電12月3日回應(yīng)指出，臺(tái)積公司作為一家守法的公司，一向致力于遵循所有可適用的法令與法規(guī)，包括可適用的出口管制法規(guī)。我們目前預(yù)期，相關(guān)事件對(duì)臺(tái)積公司的可能財(cái)務(wù)影響仍在可控范圍。

發(fā)表于：12/4/2024

中國(guó)四大行業(yè)協(xié)會(huì)同時(shí)提出謹(jǐn)慎采購(gòu)美國(guó)芯片

12 月 3 日消息，中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會(huì)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)通信企業(yè)協(xié)會(huì)今日聲明原文如下

發(fā)表于：12/4/2024

商務(wù)部發(fā)布關(guān)于加強(qiáng)相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國(guó)出口管制的公告

12月3日消息，今天早些時(shí)候，美國(guó)工業(yè)和安全局 (BIS) 正式修訂了《出口管理?xiàng)l例》(EAR)，將 140個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)實(shí)體添加到“實(shí)體清單”。對(duì)于這次的出手，我國(guó)也是迎來(lái)了反制措施。就在剛剛，商務(wù)部發(fā)布關(guān)于加強(qiáng)相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國(guó)出口管制的公告，根據(jù)《中華人民共和國(guó)出口管制法》等法律法規(guī)有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國(guó)家安全和利益、履行防擴(kuò)散等國(guó)際義務(wù)，決定加強(qiáng)相關(guān)兩用物項(xiàng)對(duì)美國(guó)出口管制。

發(fā)表于：12/4/2024

中國(guó)電信發(fā)布全國(guó)比特?cái)?shù)最多的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)

504比特！中國(guó)電信發(fā)布全國(guó)比特?cái)?shù)最多的超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)

發(fā)表于：12/4/2024

北電數(shù)智“國(guó)產(chǎn)算力PoC平臺(tái)” 鏈接國(guó)產(chǎn)算力供需助推產(chǎn)業(yè)發(fā)展

11月21日，北電數(shù)智首個(gè)國(guó)產(chǎn)算力PoC平臺(tái)正式亮相并成功落地北京數(shù)字經(jīng)濟(jì)算力中心，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)算力在商業(yè)化應(yīng)用方面邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

發(fā)表于：12/3/2024

美國(guó)對(duì)華HBM出口管制規(guī)則公布

美國(guó)對(duì)華HBM出口管制規(guī)則公布：增加存儲(chǔ)單元面積及存儲(chǔ)密度限制

發(fā)表于：12/3/2024

英偉達(dá)Rubin GPU已經(jīng)提早半年開始準(zhǔn)備

英偉達(dá)Rubin GPU已經(jīng)提早半年開始準(zhǔn)備

發(fā)表于：12/3/2024

中國(guó)科學(xué)院研究顯示生成式AI產(chǎn)生的電子廢棄物驚人

中國(guó)科學(xué)院研究顯示，生成式AI將在2023~2030年產(chǎn)生120萬(wàn)~500萬(wàn)噸的電子廢棄物

發(fā)表于：12/3/2024

ASML稱正在評(píng)估新半導(dǎo)體出口管制措施潛在影響

12月3日消息，日前，光刻機(jī)巨頭ASML（阿斯麥）發(fā)布聲明，稱美國(guó)發(fā)布最新版先進(jìn)計(jì)算和半導(dǎo)體制造設(shè)備規(guī)則，對(duì)出口芯片制造技術(shù)的供應(yīng)商施加了更多限制。

發(fā)表于：12/3/2024