工業(yè)自動化最新文章 Qorvo® 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET 中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護應用而設(shè)計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應用中至關(guān)重要。 發(fā)表于：6/17/2024 兆易創(chuàng)新亮相SNEC上海光伏展，以“芯”科技助力數(shù)字能源發(fā)展 中國北京（2024年6月12日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，將攜多款數(shù)字能源解決方案，參加6月13日-15日在上海國家會展中心舉辦的SNEC第十七屆（2024）國際太陽能光伏與智慧能源（上海）展覽會（展位：5.1H館D535），集中展現(xiàn)其在光伏、儲能和充電樁、工業(yè)及通訊電源等領(lǐng)域的前沿技術(shù)實力與創(chuàng)新成果。 發(fā)表于：6/17/2024 ASML公布Hyper NA EUV光刻機 可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了 發(fā)表于：6/17/2024 消息稱鎧俠結(jié)束NAND閃存減產(chǎn) 消息稱鎧俠結(jié)束 NAND 閃存減產(chǎn)，現(xiàn)有工廠開工率均已恢復至 100% 發(fā)表于：6/17/2024 SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求 提升 1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足 HBM3E 內(nèi)存需求，消息稱 SK 海力士正升級 M16 晶圓廠 發(fā)表于：6/17/2024 沒有撤離荷蘭 ASML總部擴建計劃獲批 6月17日消息，近日，荷蘭埃因霍溫市議會多數(shù)成員以 34 比 6 的投票結(jié)果通過了ASML在Brainport Industries Campus園區(qū)的擴張計劃，這也為這家半導體巨頭繼續(xù)在當?shù)財U張鋪平了道路。 發(fā)表于：6/17/2024 PANJIT強勢推出兩顆優(yōu)化的1600V通用型整流器 PANJIT積極推出兩顆優(yōu)化的1600V通用型整流器（PGR6016PT/PGR9016PT），電流高達60A/90A，以其優(yōu)越性能脫穎而出，在ORing Diode電路上提供卓越的表現(xiàn)，具有高效率、低耗損特性。由于充電樁會有若干個充電模塊并聯(lián)后進行輸出供電，這可確保在其中一個電源失效時，其他電源仍正常運作。 發(fā)表于：6/14/2024 Intel 3工藝官方揭秘最新數(shù)據(jù) Intel 3工藝官方揭秘：面積縮小10％、能效飆升17％ 發(fā)表于：6/14/2024 三星公布引領(lǐng)AI時代半導體技術(shù)路線圖 三星公布引領(lǐng)AI時代半導體技術(shù)路線圖 效果大幅提升 發(fā)表于：6/14/2024 諾獎得主稱美國最多斷供中國10年芯片 華為等加油！諾獎得主稱美國最多斷供中國10年芯片：中國能造出比美更好的 發(fā)表于：6/14/2024 美國發(fā)展半導體2024年建設(shè)支出超前28年總和 美國發(fā)展半導體有多瘋狂：2024年建設(shè)支出超前28年總和！ 發(fā)表于：6/14/2024 彌費科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗收 彌費科技8吋&12吋晶圓廠AMHS系統(tǒng)驗收，打破行業(yè)長期海外壟斷 發(fā)表于：6/14/2024 CPU 2.0時代即將到來 CPU 2.0時代即將到來！爆炸性成果使任何CPU性能提升100倍 發(fā)表于：6/14/2024 國內(nèi)首條光子芯片中試線月底調(diào)試 國內(nèi)首條光子芯片中試線月底調(diào)試 產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程不斷提速 發(fā)表于：6/14/2024 隆基綠能再次刷新晶硅-鈣鈦礦疊層電池效率世界紀錄 隆基綠能再次刷新晶硅-鈣鈦礦疊層電池效率世界紀錄 發(fā)表于：6/14/2024 ?…79808182838485868788…?
