EDA與制造相關文章 緯創(chuàng)宣布投資5000萬美元在美國建廠 4月2日，中國臺灣電子代工大廠緯創(chuàng)發(fā)布公告，宣布計劃在美國投資新設子公司，注冊資本為4,500萬美元，并擬于不超過5,000萬美元額度內，取得美國土地及廠房。 緯創(chuàng)表示，在美國投資設立的子公司名為Wistron InfoComm（USA）Corporation（WIUS），此番投資是因業(yè)務發(fā)展及策略規(guī)劃需要。 發(fā)表于：4/3/2025 龍芯中科宣布2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片 4月3日消息，龍芯中科官方宣布，近日，龍芯2K3000暨龍芯3B6000M成功完成流片，目前已完成初步功能和性能摸底，各項指標符合預期。 龍芯2K3000、龍芯3B6000M是基于相同硅片的不同封裝版本，分別面向工控應用領域、移動終端領域。 發(fā)表于：4/3/2025 晶圓代工巨頭先進工藝制程進度一覽 4月3日消息，日前舉辦的Vision 2025大會上，Intel正式宣布18A工藝制程技術已進入風險生產階段。預計今年下半年首發(fā)該工藝的Panther Lake處理器將進行大批量生產。 發(fā)表于：4/3/2025 消息稱SK海力士封裝廠產線升級 HBM月產能新增1萬片晶圓 4 月 2 日消息，韓媒 ET News 當?shù)貢r間本月 1 日報道稱，SK 海力士已在 3 月末完成了其位于韓國京畿道利川市的 M10F 工廠的產線改造，該廠從此前負責一般 DRAM 產品的后端處理調整為封裝高附加值、高需求的 HBM 內存。 消息人士稱 SK 海力士為利川 M10F 工廠引進和更換了新項目所需的工藝設備和原材料，并獲得了消防部門更新的安全許可，該工廠 HBM 封裝產線已于 3 月底開始批量生產。 發(fā)表于：4/3/2025 Rapidus 2027年量產2nm芯片仍面臨三大挑戰(zhàn) 近日，日本經濟產業(yè)省宣布，已決定向本土半導體制造商Rapidus再追加8025億日元投資，使得政府援助總額將達到1.7萬億日元，以支持Rapidus實現(xiàn)2027年在日本量產2nm芯片的目標。 發(fā)表于：4/3/2025 創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片 4月2日，先進ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實體層（PHY）半導體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進的N3P制程技術，并結合CoWoS-R先進封裝技術實現(xiàn)。 發(fā)表于：4/3/2025 英特爾18A先進制程已進入風險試產階段 4 月 2 日消息，英特爾高級副總裁、英特爾代工部門負責人 Kevin O'Buckley 在英特爾 Vision 2025 活動上宣布，根據(jù)已向客戶交付的硬件，英特爾代工目前最為先進的 Intel 18A 邏輯制程已進入風險試產（IT之家注：Risk Production）階段。 發(fā)表于：4/2/2025 日本芯片制造商Rapidus計劃2025財年內發(fā)布2nm制程PDK 4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計劃在本月內基于已安裝的前端設備啟動中試線，實現(xiàn) EUV 機臺的啟用并繼續(xù)引入其它設備，推進 2nm GAA 先進制程技術的開發(fā)。 發(fā)表于：4/2/2025 臺積電美國廠全部量產后營收占比將達三分之一 4月1日消息，據(jù)英國《金融時報》報道，根據(jù)分析師的估算，晶圓代工大廠臺積電在美國亞利桑那州的所有晶圓廠完工后，僅會占該公司2030年代初總營收的約三分之一，遠低于其中國臺灣晶圓廠的營收占比。 發(fā)表于：4/2/2025 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議 2025年4月1日，中國蘇州 — 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議 發(fā)表于：4/2/2025 業(yè)界預計臺積電將在2027年開始1.4nm工藝的風險性試產 4月2日消息，如今的臺積電，真是把新的制程工藝變得似乎易如反掌！ 早在今年初，就有報道陳，臺積電2nm工藝試產進度遠超預期，樂觀預計位于新竹寶山、高雄的兩座旗艦級工廠可在年底每月產出8萬塊晶圓。 發(fā)表于：4/2/2025 聯(lián)電新加坡Fab 12i 晶圓廠擴建落成開業(yè) 4月1日，臺系晶圓代工大廠聯(lián)電在新加坡舉行擴建新廠開幕典禮，新廠第一期項目將在2026年開始量產，預計將使聯(lián)電新加坡Fab 12i廠總產能提升至每年超過100萬片12英寸晶圓。此外，聯(lián)電這座新廠也將成為新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，提供用于通信、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、車用和人工智能（AI）創(chuàng)新領域的半導體芯片。 發(fā)表于：4/2/2025 夏普再次出售工廠 當?shù)貢r間3月31日，日本顯示面板大廠夏普宣布，已經和日本電子元件廠Aoi Electronics簽訂契約，擬將生產中小尺寸液晶面板的三重事業(yè)所（三重工廠）的第一工廠廠房（總樓地板面積約6萬平方公尺）出售給Aoi，Aoi將借此導入半導體封裝產線。 早在2024年7月，夏普就曾宣布，已和Aoi達成基本協(xié)議，Aoi將在三重工廠第一廠房打造先進半導體面板封裝（advanced semiconductor panel packages）產線。該先進封裝產線預定將用來生產可因應先進封裝需求的Aoi FOLP（Fan-out Laminate Package）產品。 發(fā)表于：4/2/2025 英特爾CEO陳立武：剝離非核心業(yè)務 建立世界一流晶圓代工廠 當?shù)貢r間3月31日，英特爾在美國拉斯維加斯召開了“Intel Vision”（英特爾愿景）大會，英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）首次公開亮相，并做了主題為“A New Intel”的開場演講，在回顧了其過往經歷之后，分享了他對恢復英特爾公司技術和制造領導地位的方法的見解。 發(fā)表于：4/1/2025 傳統(tǒng)DRAM市場競爭激烈 三星利潤面臨連續(xù)三季度下滑 3月31日消息，據(jù)韓國Infomax調查，分析師預測三星電子在2025年第一季度的營業(yè)利潤仍不樂觀，面臨連續(xù)三個季度下滑的局面。 分析師預測，三星電子2025年第一季度的營業(yè)利潤預計為4.7萬億韓元（約合32億美元），同比減少27.8%，環(huán)比減少26.6%。 報道稱，這一下滑趨勢主要歸因于中國DRAM廠的產能全開，導致傳統(tǒng)DRAM價格下跌，三星作為傳統(tǒng)DRAM的主要供應商，受到嚴重沖擊。 發(fā)表于：4/1/2025 ?12345678910…?
