頭條 “網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞 今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。 下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 2025Q1全球晶圓代工2.0市場營收720億美元 2025Q1全球晶圓代工2.0市場營收720億美元，臺積電拿下35%份額 6月24日消息，市場調(diào)研機構(gòu)Counterpoint Research最新公布的研究報告指出，2025年第一季，全球晶圓代工2.0（Foundry 2.0）市場營收達720億美元，較去年同期增長13%，主要受益于AI 與高性能計算（HPC）芯片需求強勁，進一步推動先進制程（如3nm與4nm）與先進封裝技術(shù)的應(yīng)用。 發(fā)表于：6/25/2025 六大論壇聯(lián)動百企展示，工程師福利加持倒計時 6月26–27日，2025年東莞電子熱點解決方案創(chuàng)新峰會即將開幕，六大論壇、百家展商集結(jié)，當前報名持續(xù)火熱，參會工程師請盡快鎖定席位！ 發(fā)表于：6/25/2025 Rapidus 2nm半導(dǎo)體與西門子達成合作 6 月 24 日消息，日本先進邏輯半導(dǎo)體制造商 Rapidus 當?shù)貢r間昨日宣布同西門子數(shù)字化工業(yè)軟件就 2nm 世代半導(dǎo)體設(shè)計和制造工藝達成戰(zhàn)略合作。 發(fā)表于：6/25/2025 2024年全球MEMS市場收入達154億美元 6月24日消息，據(jù)研究機構(gòu)Yole Group最新公布的報告《2025 年 MEMS 行業(yè)現(xiàn)狀》顯示，在經(jīng)歷了2023年的供應(yīng)過剩之后，2024年全球 MEMS 收入為 154 億美元，同比增長 5%，出貨量達到了 310 億顆。預(yù)計到 2030 年，MEMS 市場將達到 192 億美元，從 2024 年到 2030 年的復(fù)合年增長率將達到 3.7%。 發(fā)表于：6/25/2025 西門子推出面向半導(dǎo)體和PCB設(shè)計的全新EDA AI工具集 西門子推出面向半導(dǎo)體和PCB設(shè)計的全新EDA AI工具集 發(fā)表于：6/25/2025 DRAM史上最大代際倒掛 DDR4現(xiàn)貨均價兩倍于DDR5 6 月 24 日消息，集邦咨詢 Trendforce 今天（6 月 24 日）發(fā)布博文，受南亞科技上周停止報價 DDR4 現(xiàn)貨影響，出現(xiàn)了 DRAM 歷史上從未出現(xiàn)的價格倒掛情況，DDR4 16Gb 芯片價格上漲至 DDR5 的兩倍。 發(fā)表于：6/25/2025 英偉達在SK海力士HBM內(nèi)存銷售額占比降至80% 6 月 24 日消息，韓媒 DealSite 當?shù)貢r間 19 日報道稱，在英偉達 HBM 內(nèi)存供應(yīng)商多元化、AI ASIC 陣營發(fā)展迅猛的背景下，英偉達在 SK 海力士 HBM 內(nèi)存銷售額中的占比將從去年的 90% 左右降至今年的 80%。 發(fā)表于：6/25/2025 我國科學(xué)家首次實現(xiàn)真多體非經(jīng)典量子測量 6 月 24 日消息，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團隊的項國勇、侯志博研究組與復(fù)旦大學(xué)朱黃俊研究組合作，在真多體非經(jīng)典量子測量研究中取得重要進展。 他們首次在理論上將真多體非經(jīng)典性從量子態(tài)擴展到量子測量，并通過實驗實現(xiàn)了基于二維光量子行走的真三體非經(jīng)典測量，用于三拷貝量子態(tài)估計任務(wù)；實驗保真度超越最優(yōu)二可分測量 11 個標偏。二可分集體測量最高保真度高 11 個標偏。這種前所未有的信息提取能力表明研究團隊在國際上首次實驗實現(xiàn)了真三體量子測量。 發(fā)表于：6/25/2025 小米已申請“XRING O2”商標 玄戒O2正在研發(fā)當中 6月24日消息，根據(jù)天眼查顯示，小米科技有限責(zé)任公司已經(jīng)在6月5日申請了“XRING O2”商標，而“XRING”正是小米自研芯片“玄戒”的英文名。這似乎也意味著小米第二代旗艦芯片玄戒O2的研發(fā)正在進行當中。 發(fā)表于：6/25/2025 設(shè)計改進助三星電子1c nm內(nèi)存良率明顯提升 6 月 24 日消息，參考韓媒 SEDaily 當?shù)貢r間本月 19 日報道和另一家韓媒 MK 的今日報道，三星電子的第六代 10 納米級（IT 之家注：即 1c nm）DRAM 內(nèi)存工藝在設(shè)計改進等的推動下良率明顯提升。 發(fā)表于：6/25/2025 ?…19202122232425262728…?
