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工業(yè)自動化最新文章

二季度開始Intel每月為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓

Intel從二季度開始，每月可為NVIDIA生產(chǎn)5000塊晶圓

發(fā)表于：8/1/2024

消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可

7 月 31 日消息，韓媒 ZDNet Korea 報道稱，三星電子 V9 NAND 閃存的 QLC 版本尚未獲得量產(chǎn)許可，對平澤 P4 工廠的產(chǎn)線建設(shè)規(guī)劃造成了影響。三星電子今年 4 月宣布其 V9 NAND 閃存的 1Tb 容量 TLC 版本實現(xiàn)量產(chǎn)，對應(yīng)的 QLC 版本則將于今年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。然而直到現(xiàn)在，三星電子并未對 V9 QLC NAND 閃存下達(dá) PRA（IT之家注：應(yīng)指 Production Readiness Approval）量產(chǎn)就緒許可。而容量更高、成本更低的 QLC 閃存目前正是 AI 推理服務(wù)器存儲需求的熱點(diǎn)。明星產(chǎn)品前景不明，使得三星電子內(nèi)部對是否將平澤 P4 工廠第一階段完全用于 NAND 生產(chǎn)存在不同聲音。

發(fā)表于：8/1/2024

消息指SK海力士400+層閃存明年末量產(chǎn)就緒

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

發(fā)表于：8/1/2024

鼎陽科技發(fā)布SPS6000X寬范圍可編程直流開關(guān)電源新型號

2024年7月30日，鼎陽科技發(fā)布寬范圍可編程直流開關(guān)電源SPS6000X系列新型號。其單臺輸出功率可達(dá)1.5kW，并且可以多臺并聯(lián)以進(jìn)一步提高功率容量，滿足更大電流需求的應(yīng)用場景。

發(fā)表于：7/31/2024

德州儀器推出電源模塊全新磁性封裝技術(shù)

德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出六款新型電源模塊，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。這些電源模塊采用德州儀器專有的 MagPack 集成磁性封裝技術(shù)，與市場上同類產(chǎn)品相比，尺寸縮小了多達(dá) 23%，支持工業(yè)、企業(yè)和通信應(yīng)用的設(shè)計人員實現(xiàn)更高的性能水平。六款新器件中有三款（TPSM82866A、TPSM82866C 和 TPSM82816）是超小型 6A 電源模塊，可以提供每平方毫米 1A 的電流輸出能力。

發(fā)表于：7/31/2024

LG化學(xué)將超越杜邦位居OLED材料市場第二名

LG化學(xué)將超越美國杜邦，位居OLED材料市場第二名

發(fā)表于：7/31/2024

消息稱英特爾挖角臺積電工程師

消息稱英特爾挖角臺積電工程師，芯片代工競爭加劇

發(fā)表于：7/31/2024

英特爾俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元

英特爾宣布將俄亥俄州兩座晶圓廠投資額提升至280億美元！

發(fā)表于：7/31/2024

工信部發(fā)布2024新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實施辦法

工信部發(fā)布 2024 新版工業(yè)機(jī)器人行業(yè)規(guī)范條件和管理實施辦法，8 月起實施

發(fā)表于：7/31/2024

Alphawave推出業(yè)界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP

Alphawave推出業(yè)界首款支持臺積電CoWoS封裝的3nm UCIe IP

發(fā)表于：7/31/2024

迪士尼1.1TiB數(shù)據(jù)通過BeamNG.drive駕駛模擬器MOD被泄露

高管因玩BeamNG.drive駕駛模擬器MOD，導(dǎo)致迪士尼1.1TiB數(shù)據(jù)泄露

發(fā)表于：7/31/2024

英飛凌在美國ITC對英諾賽科發(fā)起337調(diào)查申請

英飛凌在美國ITC對英諾賽科發(fā)起337調(diào)查申請

發(fā)表于：7/30/2024

歐盟建晶圓廠補(bǔ)貼進(jìn)展緩慢

英特爾和臺積電已經(jīng)根據(jù)美國《芯片與科學(xué)法案》分別獲得85億美元和66億美元的巨額補(bǔ)貼，用于在美國國內(nèi)建晶圓廠。與此同時，旨在支持歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的《歐洲芯片法案》卻動作遲緩，至今英特爾和臺積電的歐洲建廠補(bǔ)貼均未獲批。邀請英特爾和臺積電投資的德國因歐盟委員會的猶豫不決而面臨延誤。盡管德國已為英特爾撥款100億歐元，為臺積電撥款50億歐元，但仍有待歐盟最終批準(zhǔn)。德國官員警告稱，如果得不到及時批準(zhǔn)，英特爾2024年底開工的計劃可能會受到威脅。歐盟緩慢的審批程序與美國《芯片法案》形成鮮明對比，后者自2024年初以來迅速撥付補(bǔ)貼。這種歐洲官僚主義的拖延招致批評，德國智庫Interface的專家認(rèn)為，由于建設(shè)延誤和挫折，歐盟在2030年前實現(xiàn)其半導(dǎo)體市場份額20%的目標(biāo)已經(jīng)越來越難以實現(xiàn)。

發(fā)表于：7/30/2024

英偉達(dá)本周發(fā)送Blackwell樣品

英偉達(dá)本周發(fā)送Blackwell樣品，發(fā)布NIM更新，支持3D和機(jī)器人模型創(chuàng)建

發(fā)表于：7/30/2024

晶圓代工三巨頭從納米時代轉(zhuǎn)戰(zhàn)埃米時代

英特爾、三星和臺積電這三家領(lǐng)先的芯片代工廠已開始做出關(guān)鍵舉措，為未來幾代芯片技術(shù)吸引更多訂單，并為大幅提高性能和縮短定制設(shè)計的交付時間創(chuàng)造了條件。與過去由單一行業(yè)路線圖決定如何進(jìn)入下一個工藝節(jié)點(diǎn)不同，這三家世界最大的晶圓代工廠正越來越多地開辟自己的道路。但他們都朝著同一個大方向前進(jìn)，即采用 3D 晶體管和封裝、一系列使能和擴(kuò)展性技術(shù)，以及規(guī)模更大、更多樣化的生態(tài)系統(tǒng)。但是，他們在方法論、架構(gòu)和第三方支持方面出現(xiàn)了一些關(guān)鍵性的差異。三者的路線圖都顯示，晶體管的擴(kuò)展將至少持續(xù)到 18/16/14 埃米（1 埃米等于 0.1nm）的范圍，并可能從納米片和 forksheet FET 開始，在未來的某個時間點(diǎn)出現(xiàn)互補(bǔ) FET（CFET）。主要驅(qū)動因素是人工智能（AI）/ 移動計算以及需要處理的數(shù)據(jù)量激增，在大多數(shù)情況下，這些設(shè)計將涉及處理元件陣列，通常具有高度冗余和同質(zhì)性，以實現(xiàn)更高的產(chǎn)量。

發(fā)表于：7/30/2024