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愛芯元智入選2024玄鐵優(yōu)選伙伴

　　中國 2024年03月18日——人工智能芯片研發(fā)及基礎算力平臺公司愛芯元智宣布，以“開放·連接”為主題的第二屆玄鐵RISC-V生態(tài)大會于03月14日在深圳舉行，愛芯元智聯合創(chuàng)始人、副總裁劉建偉受邀發(fā)表主題演講，向與會嘉賓分享了愛芯通元混合精度NPU這一面向邊端側算力布局的AI處理器，以及基于RISC-V生態(tài)所進行的AI算力提升及行業(yè)落地探索。

發(fā)表于：3/26/2024

管窺校準溝通之道，有效溝通是成功校準的基礎

　　泰克深知，校準服務提供商與客戶溝通的準確性和一致性對于校準過程的成功至關重要。我最近有幸與 A2LA 的 Stephanie Morin 在一場網絡研討會中聚焦校準領域，探討了一些重點話題，具體如下。我們旨在解讀常見的行業(yè)術語，找出溝通障礙，并向您展示如何通過有關各方的密切合作來消除這些障礙。

發(fā)表于：3/26/2024

e絡盟推出設計、構建、維護中心，全面革新產品生命周期服務與支持體系

　　中國上海，2024年3月15日—安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟宣布推出新的設計、構建、維護中心。這個創(chuàng)新型平臺旨在為開發(fā)人員、OEM和工業(yè)客戶提供支持，完成產品從概念設計到維護周期的各個階段。

發(fā)表于：3/26/2024

羅克韋爾自動化亮相2024中國自動化+數字化產業(yè)年會

　　（2024年3月15日，中國上海）昨日，作為工業(yè)自動化、信息化和數字化轉型領域的全球領先企業(yè)之一，羅克韋爾自動化（NYSE: ROK）受邀出席2024中國自動化+數字化產業(yè)年會（以下簡稱“2024 CAIMRS”）。大會期間，羅克韋爾自動化（中國）有限公司總裁石安、羅克韋爾自動化（中國）有限公司智能制造創(chuàng)新研究院院長李棟分別發(fā)表主題演講，分享行業(yè)破局之道和可持續(xù)發(fā)展方面的洞見。在當晚舉辦的第二十二屆自動化及數字化年度評選頒獎典禮上，羅克韋爾推出的PowerFlex 755TS變頻器與FactoryTalk® Optix?智能全連接-可視化平臺分別在“自動化創(chuàng)新獎”兩大品類中獲獎。

發(fā)表于：3/26/2024

貿澤開售Laird Connectivity Sera NX040 UWB+BLE模塊

　　2024年3月14日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子（Mouser Electronics）即日起開售Laird Connectivity的Sera NX040超寬帶（UWB）和藍牙低功耗（BLE）模塊。Sera NX040模塊是Laird Connectivity新推出的UWB和BLE標簽解決方案，專為工業(yè)、消費、醫(yī)療、汽車和IoT應用中的新一代精準粒度定位和近距離定位而設計。

發(fā)表于：3/26/2024

英特爾Arm簽署新興企業(yè)支持計劃備忘錄

3 月 25 日消息，英特爾與 Arm 近日簽署諒解備忘錄，確認了在“新興企業(yè)支持計劃”上的合作。該計劃最初于 2 月的 Intel Foundry Direct Connect 活動上公布。根據該計劃，雙方將聯手支持初創(chuàng)企業(yè)基于 Intel 18A 制程工藝開發(fā) Arm 架構 SoC。具體而言，英特爾和 Arm 將在 IP 和制造上共同向創(chuàng)企給予支持，同時提供財政援助，以促進這些企業(yè)的創(chuàng)新和增長。這些創(chuàng)企將為各類設備和服務器研發(fā) Arm 架構的 SoC，并由英特爾代工制造。

發(fā)表于：3/26/2024

三星3nm GAA工藝良率上升至30%至60%

3月25日消息，據媒體透露，有消息人士稱，三星電子的3納米Gate-All-Around（GAA）工藝的良率已經實現了三倍的提高，從先前的10%至20%上升至30%至60%之間，然而，這仍然落后于競爭對手臺積電。除此之外，臺積電還宣布今年將3納米晶圓的產量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會。報道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區(qū)域方面進行了改進。然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業(yè)在可預見的未來將繼續(xù)選擇臺積電。本月初，韓國媒體報道稱，三星電子已經通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。一位業(yè)內人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同。”

發(fā)表于：3/26/2024

SEMI：中國12英寸晶圓生產設備支出將領先全球

據美國《福布斯》雜志網站24日報道，美國半導體行業(yè)組織國際半導體產業(yè)協會（SEMI）近日發(fā)布的最新報告預測，中國大陸將在主流300毫米（12英寸）半導體工廠設備支出方面領先全球，未來4年每年的投資將達到300億美元。中國臺灣和韓國緊隨其后。

發(fā)表于：3/26/2024

高通谷歌和英特爾共同向英偉達發(fā)起挑戰(zhàn)

3月26日消息，據國外媒體報道，高通、谷歌和英特爾等巨頭集體向“AI霸主”英偉達發(fā)起挑戰(zhàn)，欲打破CUDA“一家獨大”的局面。報道稱，高通、谷歌和英特爾等科技公司參與的UXL基金會正計劃開發(fā)一套軟件和工具，使計算機代碼能夠在任何架構的AI芯片和硬件上運行，從而打破芯片巨頭所主導的AI生態(tài)。高通人工智能和機器學習主管Vinesh Sukumar接受采訪時表示：“我們實際上是在向開發(fā)者展示如何從英偉達平臺遷移出來?！? 從長遠的角度來看，由于英偉達CUDA產生的深遠影響力，UXL的最終目標是支持英偉達硬件和CUDA生態(tài)代碼。目前英偉達在AI芯片市場斬獲了高達90%的壟斷性份額，主要歸功于其高性能AI GPU和軟硬件協同系統(tǒng)CUDA。但是業(yè)績普遍認為，隨著英偉達競爭對手AMD、Groq等紛紛推出性能比肩英偉達的AI芯片，CUDA這一軟硬件協同運算平臺“壟斷性的優(yōu)勢”才是英偉達壟斷AI芯片市場的最核心。基于CUDA的AI軟硬件一體化系統(tǒng)為英偉達創(chuàng)建了一條極其寬闊的“護城河”，使得AMD等競爭對手很難與英偉達在部署AI應用方面相匹配。

發(fā)表于：3/26/2024

美國企業(yè)對5家中國光連接企業(yè)提起337調查申請

據商務部官網，2024年3月22日，美國US Conec, Ltd.公司依據《美國1930年關稅法》第337節(jié)規(guī)定，向美國國際貿易委員會提出申請，指控對美出口、在美進口或在美銷售的特定光纖連接器、適配器、跨接電纜、跳線以及下游產品及組件侵犯其專利權，請求發(fā)起337調查，并發(fā)布普遍排除令、有限排除令和禁止令。中國5家企業(yè)涉案。美國企業(yè)對5家中國光連接企業(yè)提起337調查申請

發(fā)表于：3/26/2024

2025年我國將初步建成煤礦智能化標準體系

3 月 25 日消息，國家能源局日前印發(fā)《煤礦智能化標準體系建設指南》（以下簡稱《建設指南》），要求到 2025 年，初步建立起結構合理、層次清晰、分類明確、科學開放的煤礦智能化標準體系，滿足煤礦智能化建設基本需求。《建設指南》要求到 2030 年，煤礦智能化標準體系基本完善，在智能化煤礦設計、建井、生產、管理、運維、評價等環(huán)節(jié)形成較為完善的系列標準。

發(fā)表于：3/26/2024

Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進水平

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年3月14日 —日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。

發(fā)表于：3/25/2024

e絡盟開售Traco Power 5-50瓦緊湊型封裝TMPW系列產品

　　中國上海，2024年3月13日—安富利旗下全球電子元器件產品與解決方案分銷商e絡盟現貨發(fā)售Traco Power的TMPW 系列超緊湊型直流、交流電源。

發(fā)表于：3/25/2024

Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2024年3月13日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出適于IrDA®應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 數據速率（SIR），鏈路距離為1米，適用于能量表和監(jiān)控器、工業(yè)自動化控制、手機和醫(yī)療設備無線通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命，模塊降低了功耗，閑置供電電流 < 70 μA，關斷模式 < 1 μA。

發(fā)表于：3/25/2024

SK海力士展示新一代GDDR7顯存

據媒體報道，SK海力士近期展出的GDDR7顯存無疑成為了業(yè)界關注的焦點。據悉，SK海力士的GDDR7顯存容量涵蓋16-24Gb，傳輸速度可達40Gbps，比三星所展出的GDDR7顯存快8Gbps，并且可以提供160GB/s的顯存帶寬。這意味著在相同時間內，SK海力士的GDDR7顯存可以處理更多數據，從而大大提升顯卡的整體性能。

發(fā)表于：3/25/2024