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國產(chǎn)磁流體拋光機亮相，超精密光學加工不再被“卡脖子”

發(fā)表于：3/22/2024

恩智浦與NVIDIA合作將TAO工具套件集成到恩智浦邊緣設備

● 恩智浦是首家將NVIDIA TAO工具套件API直接集成到其人工智能產(chǎn)品（eIQ機器學習開發(fā)環(huán)境）中的半導體供應商 ● 將NVIDIA經(jīng)過訓練的人工智能模型部署在恩智浦邊緣處理設備中 ● 簡化在邊緣部署經(jīng)過訓練的人工智能模型的過程，加速人工智能的開發(fā)

發(fā)表于：3/21/2024

格創(chuàng)東智完成AMHS收購簽約

3月20日,格創(chuàng)東智AMHS業(yè)務啟動暨產(chǎn)品發(fā)布會在SEMICON China 2024展會現(xiàn)場成功舉行。會上,格創(chuàng)東智完成對耘德有限公司、江蘇睿新庫智能科技有限公司的戰(zhàn)略收購簽約。

發(fā)表于：3/21/2024

美國政府宣布計劃向英特爾提供近200億美元激勵

3 月 20 日消息，美國商務部 3 月 20 日宣布，美國政府與英特爾達成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)美國《芯片與科學法案》向后者提供至多 85 億美元（當前約 612 億元人民幣）直接資金和最高 110 億美元（當前約 792 億元人民幣）貸款，以擴大其高端芯片制造產(chǎn)能。英特爾正尋求在芯片領域重新確立在美國的領導地位，并與臺積電和三星等公司競爭。

發(fā)表于：3/21/2024

工業(yè)自動化軟件突破“卡脖子”進入快車道

今年“兩會”期間，在科技自立自強、制造業(yè)轉型升級的大背景下，解決工業(yè)軟件“卡脖子”成為代表委員們的高頻提案，也成為社會各界討論的熱門話題。比如，全國政協(xié)委員許進表示，工業(yè)軟件亟需盡快突破“卡脖子”問題。他說，“目前，我國90%以上工業(yè)軟件仍需進口，部分自主軟件模塊在國外的基礎軟件平臺上進行二次開發(fā)，對于工業(yè)發(fā)展具有不自主可控性?！? 又如，全國政協(xié)委員王明凡指出，要讓“卡脖子”技術實現(xiàn)國產(chǎn)替代。他稱，“當前，我國工業(yè)基礎領域面臨一些‘卡脖子’問題，特別是在基礎工業(yè)軟件、關鍵材料和高端裝備等方面對進口的依賴較為嚴重。”

發(fā)表于：3/21/2024

詳解英偉達AI盛會9個人形機器人出處

英偉達創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛身著黑色皮衣登場，宣布當天參與盛會的企業(yè)價值高達100萬億美元。他表示，隨著生成式人工智能發(fā)展，“一個新的產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)?！? 全球9大公司共筑人形機器人“夢之隊” 據(jù)英偉達官網(wǎng)信息，英偉達正攜手9家業(yè)界領先的人形機器人公司，聯(lián)合開發(fā)“GR00T”項目。這9家公司包括1X Technologies、Agility Robotics、Apptronik、Boston Dynamics、Figure AI、Fourier Intelligence、Sanctuary AI、宇樹科技（Unitree Robotics）和小鵬鵬行（XPENG Robotics）。與黃仁勛同臺的“機器人天團”中，每款機器人都各具特色，展示了人形機器人在不同領域的廣泛應用前景。

發(fā)表于：3/21/2024

國內(nèi)首枚，硅臻芯片量子芯片通過國家商密檢測

發(fā)表于：3/21/2024

SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元

SEMI：300mm晶圓廠設備支出明年將首次突破1000億美元國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報告》。報告顯示，由于存儲器市場的復蘇以及高性能計算、汽車應用的強勁需求，全球應用于前道工藝的300mm晶圓廠設備投資，預計將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達到創(chuàng)紀錄的1370億美元。 SEMI預測，2025年全球300mm晶圓廠設備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長5%至1370億美元。

發(fā)表于：3/21/2024

三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲模組

3 月 21 日消息，據(jù)三星半導體微信公眾號發(fā)布的中國閃存市場峰會 2024 簡報，其正研發(fā) CMM-H 混合存儲 CXL 模組。該模組同時包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存。作為一種新型高速互聯(lián)技術，CXL 可提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設備間建立高效連接。根據(jù)三星給出的圖示，這一模組可經(jīng)由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O，也可經(jīng)由 DRAM 緩存和 CXL 界面實現(xiàn) 64 字節(jié)的內(nèi)存 I / O 傳輸。

發(fā)表于：3/21/2024

SEMICON China 2024｜ASMPT攜奧芯明展出先進半導體設備

2024年3月20日,中國上?！裉?國內(nèi)領先的半導體設備供應商奧芯明亮相SEMICON China 2024。作為ASMPT全球技術網(wǎng)絡的一部分,奧芯明以中國設備廠商的身份首次參加了本屆SEMICON China。此次展會上,奧芯明攜手ASMPT在N3館展示了多款針對高質量、高精度芯片封裝的先進設備。

發(fā)表于：3/20/2024

用于FPGA平臺上圖像快速旋轉的改進CORDIC算法

坐標旋轉數(shù)字算法（CORDIC）被廣泛應用于消旋、相機邊框等系統(tǒng)中。在對傳統(tǒng)CORDIC算法分析的基礎上提出了重編碼預測和多倍迭代優(yōu)化的方法，并用MATLAB進行了仿真，又在VIVADO上進行了FPGA驗證與對比。實驗結果表明，上述優(yōu)化相對傳統(tǒng)CORDIC算法以及VIVADO自帶的CORDIC IP核顯著減少了迭代次數(shù)，消耗了更少的資源，計算的精度也有了一定的提升。

發(fā)表于：3/20/2024

基于SIP技術的固態(tài)硬盤電路設計

存儲系統(tǒng)小型化、高性能需求與日俱增，為此設計了一款基于SiP技術的固態(tài)硬盤電路，用于驗證存儲系統(tǒng)SiP電路的可行性。該SiP電路內(nèi)部以SSD控制模塊為核心處理單元，集成了用于數(shù)據(jù)存儲的NAND顆粒、用于固件存儲的SPI Flash以及電源管理等元器件。在搭建的軟硬件平臺上進行底層ATA指令驗證以及與傳統(tǒng)分離式存儲系統(tǒng)的對比性能測試，證明了應用SiP技術的存儲系統(tǒng)具備高性能、小型化、低功耗等諸多優(yōu)勢，為后續(xù)SiP存儲系統(tǒng)的設計和驗證奠定了一定的技術基礎。

發(fā)表于：3/20/2024

一種高效能可重構1 024位大數(shù)乘法器的設計

在SM9加密等算法中經(jīng)常使用大數(shù)乘法，為了解決大數(shù)乘法中關鍵電路延遲過高、能耗過大的問題，設計了一種基于流水線的可重構1 024位乘法器。使用64位乘法單元和128位先行進位加法單元，分20個周期流水產(chǎn)生最終結果，緩解了傳統(tǒng)乘法器中加法部分的延時，實現(xiàn)電路復用，有效減小能耗。在SMIC 0.18 μm工藝庫下，關鍵電路延遲2.5 ns，電路面積7.03 mm2 ，能耗576 mW。

發(fā)表于：3/20/2024

基于負載追蹤補償?shù)拇箅娏鱈DO設計

提出一種有效提升大電流輸出應用的低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）環(huán)路穩(wěn)定性的技術，采用負載追蹤補償方式消除電路輸出端與負載相關的極點對環(huán)路穩(wěn)定性的影響，且在維持環(huán)路低頻增益不變的前提下降低高頻下環(huán)路中節(jié)點阻抗，從而達到同時提升輸出精度和優(yōu)化瞬態(tài)響應性能的目的。采用TSMC 0.18 µm BCD工藝進行仿真驗證，結果表明電路最大輸出電流6 A，在6 A/6 μs的負載突變情況下輸出電壓下沖為36.6 mV，過沖為35.3 mV，穩(wěn)定時間小于56.3 μs。全負載電流范圍內(nèi)，瞬態(tài)性能大幅提升。

發(fā)表于：3/20/2024

硅半導體γ劑量率監(jiān)測儀研發(fā)及應用

硅半導體γ劑量率監(jiān)測儀廣泛應用于核設施的放射性測量，基于目前正在開展的國產(chǎn)化研發(fā)項目，對硅半導體γ劑量率監(jiān)測儀的總體設計研發(fā)、儀表主要硬件設計、軟件功能設計進行了介紹，同時對硅半導體和氣體探測器主要技術參數(shù)進行了對比，自主研發(fā)的硅半導體γ劑量率監(jiān)測儀可滿足不同堆型眾多場景劑量率監(jiān)測的要求，具有良好的應用前景。

發(fā)表于：3/20/2024