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聯(lián)電宣布與英特爾合作開(kāi)發(fā)的12nm制程平臺(tái)2027年量產(chǎn)

5月28日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行年度股東大會(huì)，聯(lián)電首席財(cái)務(wù)官劉啟東指出，與處理器大廠(chǎng)英特爾合作的12nm節(jié)點(diǎn)制程，為聯(lián)電最重要的發(fā)展計(jì)劃之一，預(yù)計(jì)量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)落在2027年。而雙方也會(huì)采取分工的模式，由英特爾負(fù)責(zé)當(dāng)?shù)刂圃?，?lián)電則負(fù)責(zé)制程開(kāi)發(fā)、銷(xiāo)售與服務(wù)流程技術(shù)。

發(fā)表于：5/29/2025

全球首個(gè)《人形機(jī)器人智能化分級(jí)》L1-L5 標(biāo)準(zhǔn)出爐

由北京人形機(jī)器人創(chuàng)新中心牽頭，聯(lián)合上海人形機(jī)器人創(chuàng)新中心、浙江人形機(jī)器人創(chuàng)新中心，以及優(yōu)必選、宇樹(shù)科技、中國(guó)信通院和工聯(lián)院等主流企業(yè)及科研院所共同制定了全球首個(gè)《人形機(jī)器人智能化分級(jí)》（T / CIE 298-2025）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。這是全球首個(gè)人形機(jī)器人智能化能力分級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)借鑒自動(dòng)駕駛、工業(yè)機(jī)器人等分級(jí)邏輯，并針對(duì)人形機(jī)器人的特殊性進(jìn)行了創(chuàng)新，構(gòu)建形成“四維五級(jí)”的評(píng)價(jià)框架。包括“感知認(rèn)知（P）、決策學(xué)習(xí)（D）、執(zhí)行表現(xiàn)（E）、協(xié)作交互（C）”為核心的四大能力維度，并構(gòu)建 L1-L5 五級(jí)智能化能力分級(jí)體系，IT之家附具體介紹如下：從 L1 至 L5，智能化能力水平逐級(jí)遞增。標(biāo)準(zhǔn)同步給出 22 個(gè)一級(jí)指標(biāo)、100 余項(xiàng)技術(shù)條款、通用安全底線(xiàn)及典型應(yīng)用場(chǎng)景映射，可為企業(yè)開(kāi)展產(chǎn)品設(shè)計(jì)、性能對(duì)標(biāo)和能力聲明提供直觀參照。

發(fā)表于：5/29/2025

中國(guó)石油發(fā)布3000億參數(shù)昆侖大模型

日前，中國(guó)石油發(fā)布3000億參數(shù)昆侖大模型，標(biāo)志著中國(guó)石油在人工智能領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

發(fā)表于：5/29/2025

臺(tái)積電稱(chēng)暫無(wú)為先進(jìn)制程導(dǎo)入High NA EUV必要

5 月 28 日消息，臺(tái)積電負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理兼副聯(lián)席 COO 張曉強(qiáng)在荷蘭阿姆斯特丹當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日舉行的公司 2025 年技術(shù)論壇歐洲場(chǎng)上表示，臺(tái)積電暫無(wú)為先進(jìn)制程導(dǎo)入 High NA EUV 的必要。張曉強(qiáng)表示，臺(tái)積電新近公布的 1.4nm 級(jí)邏輯制程 A14 即使沒(méi)有導(dǎo)入 High NA EUV 圖案化設(shè)備，提升幅度也相當(dāng)可觀。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱(chēng)SK海力士計(jì)劃10月量產(chǎn)12Hi HBM4內(nèi)存

5 月 28 日消息，韓媒 MToday 報(bào)道稱(chēng)，SK海力士計(jì)劃今年十月開(kāi)始正式量產(chǎn) HBM 高帶寬內(nèi)存的最新迭代版本 12Hi HBM4，而這一生產(chǎn)策略是因應(yīng)英偉達(dá)計(jì)劃明年推出的 "Rubin" 架構(gòu) AI GPU 的需求。

發(fā)表于：5/28/2025

臺(tái)積電警告稱(chēng)芯片關(guān)稅可能削弱其在美1650億美元投資計(jì)劃

5 月 28 日消息，臺(tái)積電呼吁美國(guó)商務(wù)部豁免芯片進(jìn)口關(guān)稅，警告加征關(guān)稅可能削弱其 1650 億美元亞利桑那州擴(kuò)建計(jì)劃，并威脅美國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。今年 3 月，臺(tái)積電宣布在亞利桑那州追加 1000 億美元（現(xiàn)匯率約合 7192.28 億元人民幣）投資，計(jì)劃再建三座晶圓廠(chǎng)、兩座先進(jìn)封裝廠(chǎng)和一個(gè)研發(fā)中心，總投資額累計(jì) 1650 億美元（現(xiàn)匯率約合 1.19 萬(wàn)億元人民幣）。

發(fā)表于：5/28/2025

消息稱(chēng)三星電子調(diào)整HBM團(tuán)隊(duì)組織架構(gòu) 押寶定制化產(chǎn)品

5 月 27 日消息，據(jù)韓媒 Financial News 報(bào)道，三星電子 DS（設(shè)備解決方案）部門(mén)負(fù)責(zé)人全永鉉正在對(duì)內(nèi)部組織進(jìn)行大刀闊斧的改革。據(jù)悉，全永鉉在被外界評(píng)價(jià)為“錯(cuò)失開(kāi)發(fā)時(shí)機(jī)”的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）業(yè)務(wù)上力求扭轉(zhuǎn)局面，將三星 HBM 開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn) HBM、定制化 HBM、HBM 產(chǎn)品工程（PE）及 HBM 封裝等團(tuán)隊(duì)。

發(fā)表于：5/28/2025

3年虧損超8億元基本半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

5月27日，據(jù)港交所官網(wǎng)顯示，中國(guó)碳化硅功率器件廠(chǎng)商——深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交了上市申請(qǐng)表，中信證券、國(guó)金證券(香港)有限公司、中銀國(guó)際為其聯(lián)席保薦人。

發(fā)表于：5/28/2025

英飛凌推出PSOC? 4100T Plus MCU

【2025年5月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用Multi-Sense技術(shù)的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進(jìn)技術(shù)。PSOC? 4100T Plus 還擁有更高的可靠性以及多種增強(qiáng)功能和先進(jìn)傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機(jī)接口（HMI）應(yīng)用提供了完整的解決方案。

發(fā)表于：5/28/2025

意法半導(dǎo)體推出兩款GaN半橋驅(qū)動(dòng)器，可提高能效和魯棒性

2025年5月27日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開(kāi)發(fā)者帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。

發(fā)表于：5/28/2025

我國(guó)小衛(wèi)星太陽(yáng)翼立體存儲(chǔ)系統(tǒng)建成投入使用

5月28日消息，中國(guó)空間技術(shù)研究院宣布，近日，由五院529廠(chǎng)與航天東方紅共同建設(shè)的小衛(wèi)星太陽(yáng)翼立體存儲(chǔ)系統(tǒng)正式通過(guò)驗(yàn)收，投入使用。據(jù)介紹，該系統(tǒng)由提升機(jī)、出入庫(kù)平臺(tái)、貨架、托盤(pán)及智能倉(cāng)儲(chǔ)管理系統(tǒng)等組件構(gòu)成，總體占地面積70余平方米，高度近12米。系統(tǒng)共配置26個(gè)獨(dú)立存儲(chǔ)托盤(pán)，單一托盤(pán)載重能力大于1噸，可同時(shí)存放多組小衛(wèi)星太陽(yáng)翼及模擬墻組合體。

發(fā)表于：5/28/2025

臺(tái)積電3nm產(chǎn)能利用率已達(dá)100%

5月26日消息，根據(jù)韓國(guó)媒體ZDnet Korea 的報(bào)導(dǎo)，近年來(lái)，受惠于人工智能（AI）芯片需求的強(qiáng)勁成長(zhǎng)，臺(tái)積電正積極提升其先進(jìn)制程的生產(chǎn)比例。尤其是當(dāng)前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)的3nm制程，以及即將要進(jìn)入量產(chǎn)的2nm制程技術(shù)，更是觀察其半導(dǎo)體市場(chǎng)健康狀態(tài)的重點(diǎn)。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電已經(jīng)量產(chǎn)的3nm制程的產(chǎn)能利用率，在過(guò)去一段時(shí)間內(nèi)有顯著提升。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research 的報(bào)告，自量產(chǎn)以來(lái)，3nm制程經(jīng)過(guò)五季的提升，首次達(dá)到了100%的利用率狀況。帶動(dòng)這股強(qiáng)勁需求的，首先是對(duì)x86 PC 中央處理器（CPU）的需求大幅提升，以及其他應(yīng)用處理器，這些芯片廣泛應(yīng)用于高效能運(yùn)算和旗艦智能手機(jī)上。其中包含了蘋(píng)果用于其最新產(chǎn)品的A17 Pro 和A18 Pro 芯片。

發(fā)表于：5/27/2025

美國(guó)政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺(tái)在即！

5月27日消息，針對(duì)美國(guó)商務(wù)部《貿(mào)易擴(kuò)張法》第232條進(jìn)行的半導(dǎo)體進(jìn)口國(guó)家安全調(diào)查，英特爾、美光和高通等美國(guó)半導(dǎo)體巨頭以及美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）近日都向美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）提交了意見(jiàn)評(píng)論，紛紛敦促美國(guó)總統(tǒng)特朗普謹(jǐn)慎對(duì)待半導(dǎo)體關(guān)稅，并警告一旦施行廣泛的關(guān)稅，可能對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成嚴(yán)重意外損害。根據(jù)此前報(bào)道，美國(guó)特朗普政府可能很快將會(huì)推出針對(duì)半導(dǎo)體加征關(guān)稅的政策，市場(chǎng)傳聞稅率可能高達(dá)25%～100%，并且新規(guī)則不排除以晶圓制造地（wafer out）作為源產(chǎn)地來(lái)加征關(guān)稅，這也將對(duì)臺(tái)積電、英特爾、三星、美光等晶圓制造廠(chǎng)商，以及以及英偉達(dá)、蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等依賴(lài)于圓代工產(chǎn)能的芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商帶來(lái)負(fù)面影響。

發(fā)表于：5/27/2025

消息稱(chēng)三星電子MLC NAND閃存準(zhǔn)備停產(chǎn)

5 月 27 日消息，韓國(guó) TheElec 報(bào)道稱(chēng)，三星電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間 26 日對(duì)客戶(hù)透露 MLC NAND 閃存即將停產(chǎn)，計(jì)劃在下個(gè)月接受最后的 MLC 芯片訂單。 TheElec 報(bào)道稱(chēng)，三星電子在通報(bào)最后 MLC NAND 排產(chǎn)計(jì)劃的同時(shí)，還向部分客戶(hù)通報(bào)了 MLC 漲價(jià)的計(jì)劃，促使客戶(hù)開(kāi)始尋求新的替代供應(yīng)商。

發(fā)表于：5/27/2025

施奈仕用膠解決方案：用膠粘技術(shù)重構(gòu)變頻器防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)

在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，變頻器作為核心控制設(shè)備，其穩(wěn)定性與壽命直接影響整機(jī)性能。然而，復(fù)雜的使用環(huán)境對(duì)變頻器PCB電路板的防護(hù)提出了嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。山東匯科電氣技術(shù)有限公司正是在這一行業(yè)痛點(diǎn)中，通過(guò)與施奈仕的深度合作，以創(chuàng)新膠粘技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的跨越式提升。

發(fā)表于：5/27/2025