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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

消息稱(chēng)三星5000億韓元引入其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)

消息稱(chēng)三星5000億韓元引入其首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：3/13/2025

日月光同Ainos合作將AI氣味分析技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造

3 月 13 日消息，日月光半導(dǎo)體昨日宣布同 AI 驅(qū)動(dòng)氣味數(shù)字化企業(yè) Ainos 簽署合作備忘錄，將后者的 AINose 專(zhuān)利技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體封測(cè)廠，以期提升制程效率、環(huán)境安全性，并確保符合 ESG 規(guī)范。此處的氣味實(shí)際上指的是空氣中的揮發(fā)性有機(jī)化合物（VOC），這類(lèi)化學(xué)物質(zhì)對(duì)制程穩(wěn)定性、設(shè)備壽命及環(huán)境條件有著重要影響，但此前其應(yīng)用潛能長(zhǎng)期被低估。

發(fā)表于：3/13/2025

群聯(lián)一年30億研發(fā)投入為何沒(méi)有個(gè)靠譜的PCIe 5.0 SSD主控

3月13日消息，群聯(lián)電子，一度是PCIe SSD主控市場(chǎng)上的佼佼者，但是在PCIe 5.0時(shí)代卻漸漸落伍了，首發(fā)且長(zhǎng)期唯一的E26主控方案不但性能無(wú)法滿(mǎn)血，發(fā)熱量也是相當(dāng)可觀，至今沒(méi)有真正成熟的方案。在閃存市場(chǎng)峰會(huì)上，群聯(lián)電子CEO潘建成透露，群聯(lián)在2024年的研發(fā)投入接近30億元人民幣。

發(fā)表于：3/13/2025

泰瑞達(dá)收購(gòu)光子IC測(cè)試公司Quantifi Photonics

近日，泰瑞達(dá)宣布已簽署最終協(xié)議，收購(gòu)光子IC測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者、私營(yíng)企業(yè)Quantifi Photonics。此次收購(gòu)預(yù)計(jì)將于2025年第二季度完成，但須滿(mǎn)足慣例成交條件并獲得監(jiān)管部門(mén)批準(zhǔn)。此次交易的財(cái)務(wù)條款未披露。

發(fā)表于：3/13/2025

優(yōu)必選聯(lián)合北京人形機(jī)器人創(chuàng)新中心發(fā)布天工行者科研機(jī)器人

優(yōu)必選聯(lián)合北京人形機(jī)器人創(chuàng)新中心發(fā)布“天工行者”科研機(jī)器人，29.9 萬(wàn)元

發(fā)表于：3/13/2025

中微公司刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)全球出貨超5000臺(tái)

今日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）宣布其等離子體刻蝕設(shè)備反應(yīng)總臺(tái)數(shù)全球累計(jì)出貨超過(guò)5000臺(tái)。這包括CCP高能等離子體刻蝕機(jī)和ICP低能等離子體刻蝕機(jī)、單反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器和雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器共四種構(gòu)型的設(shè)備。等離子體刻蝕機(jī)，是光刻機(jī)之外，最關(guān)鍵的、也是市場(chǎng)最大的微觀加工設(shè)備。由于微觀器件越做越小和光刻機(jī)的波長(zhǎng)限制，也由于微觀器件從二維到三維發(fā)展，刻蝕機(jī)是半導(dǎo)體設(shè)備過(guò)去十年增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。這一重要里程碑標(biāo)志著中微公司在等離子體刻蝕設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)得到客戶(hù)與市場(chǎng)的廣泛認(rèn)可，也彰顯了公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域已進(jìn)入國(guó)際前列。

發(fā)表于：3/12/2025

AMD 推出第五代 AMD EPYC 嵌入式處理器

AMD EPYC 嵌入式 9005 系列 CPU 針對(duì)嵌入式市場(chǎng)進(jìn)行了優(yōu)化，在尖端計(jì)算能力與專(zhuān)屬打造的嵌入式功能之間實(shí)現(xiàn)了平衡，從而提升了產(chǎn)品壽命、可靠性、系統(tǒng)彈性和嵌入式應(yīng)用開(kāi)發(fā)的簡(jiǎn)易性。該處理器采用業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的“Zen 5”架構(gòu)，可提供領(lǐng)先的性能和能效，使網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)和工業(yè)邊緣系統(tǒng)能夠更快、更高效地處理更多數(shù)據(jù)。

發(fā)表于：3/12/2025

消息稱(chēng)臺(tái)積電已向英偉達(dá)AMD博通提議合資運(yùn)營(yíng)Intel代工廠

3 月 12 日消息，路透社今日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電正與英偉達(dá)、AMD 及博通等半導(dǎo)體巨頭接洽，探討共同投資組建合資公司以運(yùn)營(yíng)英特爾晶圓代工部門(mén)的可能。受此消息影響，英特爾美股夜盤(pán)短線(xiàn)拉升，現(xiàn)漲超 10%。

發(fā)表于：3/12/2025

存儲(chǔ)漲價(jià)已成定局

3月12日消息，據(jù)媒體報(bào)道，美光和閃迪等美國(guó)內(nèi)存制造商已決定在下個(gè)月開(kāi)始漲價(jià)，其中閃迪將從4月1日起將NAND價(jià)格提高10%以上。

發(fā)表于：3/12/2025

ASML和imec簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

ASML和imec簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，支持歐洲半導(dǎo)體研究和可持續(xù)創(chuàng)新

發(fā)表于：3/12/2025

美光1γ制程DRAM僅采用了一層EUV光刻

今年2月下旬日，DRAM大廠美光科技（Micron Technology）宣布，它已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)售家向合作伙伴提供基于極紫外光（EUV）光刻技術(shù)的1γ （1-gamma）制程的第六代（10nm 級(jí)） DRAM 節(jié)點(diǎn)的 DDR5 內(nèi)存樣品的公司。不過(guò)，美光并未透露其1γ制程使用多少層EUV光刻。

發(fā)表于：3/12/2025

三星業(yè)務(wù)報(bào)告稱(chēng)已于去年底量產(chǎn)第四代4納米芯片

3 月 11 日消息，據(jù) ZDNet Korea 今日?qǐng)?bào)道，三星電子 11 日的業(yè)務(wù)報(bào)告稱(chēng)，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開(kāi)始量產(chǎn)。由于該工藝專(zhuān)注于人工智能等高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)將在三星代工業(yè)務(wù)的復(fù)蘇中發(fā)揮關(guān)鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產(chǎn)。

發(fā)表于：3/12/2025

英飛凌成為全球MCU市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者

【2025年3月11日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正式躍居全球微控制器（MCU）市場(chǎng)首位。

發(fā)表于：3/12/2025

IBM獲得一項(xiàng)重要4D打印專(zhuān)利

3 月 11 日消息，科技巨頭 IBM 從美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局獲得了一項(xiàng) 4D打印專(zhuān)利，其技術(shù)用于使用 4D 打印的智能材料運(yùn)輸微粒。

發(fā)表于：3/12/2025

Altera FPGA突破創(chuàng)新邊界加速智能邊緣領(lǐng)域發(fā)展

3月11日消息，在近日舉行的 2025 國(guó)際嵌入式展（Embedded World 2025）上，全球 FPGA 創(chuàng)新技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 Altera 發(fā)布了專(zhuān)為嵌入式開(kāi)發(fā)者打造的最新可編程解決方案，以進(jìn)一步突破智能邊緣領(lǐng)域的創(chuàng)新邊界。Altera 最新推出的 Agilex? FPGA、Quartus® Prime Pro 軟件及 FPGA AI 套件，將加速機(jī)器人、工廠自動(dòng)化系統(tǒng)與醫(yī)療設(shè)備等眾多邊緣應(yīng)用場(chǎng)景的高度定制化嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。

發(fā)表于：3/12/2025