消費電子最新文章 SK海力士HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片 5 月 14 日消息，SK 海力士在 2024 年度 IEEE IMW 國際存儲研討會上不僅分享了 HBM4E 內(nèi)存開發(fā)周期將縮短到一年的預期，也介紹了該內(nèi)存的更多細節(jié)。 SK 海力士技術人員 Kim Kwi Wook 表示，這家企業(yè)計劃使用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片構建 HBM4E 內(nèi)存。 發(fā)表于：5/15/2024 TCL華星展示全球首款Tandem三折柔性折疊屏 TCL 華星展示全球首款 Tandem 三折柔性折疊屏，印刷 OLED 實現(xiàn)量產(chǎn)級突破 發(fā)表于：5/15/2024 消息稱xAI將與甲骨文達成100億美元服務器租用協(xié)議 5 月 15 日消息，The Information 援引內(nèi)部人士消息稱，馬斯克旗下的人工智能初創(chuàng)公司 xAI 一直在與甲骨文高管談判，打算在未來幾年內(nèi)斥資 100 億美元從甲骨文租用云服務器。 擬議的 100 億美元的交易規(guī)?？氨?OpenAI 和 Anthropic 服務器交易訂單。如果一切順利的話，這筆交易將使 xAI 成為甲骨文最大的客戶之一。 發(fā)表于：5/15/2024 和輝光電展示三層串聯(lián)Tandem OLED面板 和輝光電展示三層串聯(lián) Tandem OLED 面板：用于穿戴產(chǎn)品、6000 尼特亮度 發(fā)表于：5/15/2024 HBM4內(nèi)存競爭已達白熱化 HBM4內(nèi)存競爭已達白熱化！三星、SK海力士、美光紛紛發(fā)聲 發(fā)表于：5/15/2024 谷歌正式發(fā)布視頻生成模型Veo 5月15日消息，今日，谷歌召開I/O 2024開發(fā)者大會，正式發(fā)布視頻生成模型Veo，將成為Sora新的勁敵。 發(fā)表于：5/15/2024 蘋果產(chǎn)品路線圖曝光：iPhone 16/Plus 采用 8GB 內(nèi)存 蘋果產(chǎn)品路線圖曝光：iPhone 16/Plus 采用 8GB 內(nèi)存 發(fā)表于：5/15/2024 英特爾在可擴展硅基量子處理器領域取得突破 英特爾在《自然》雜志上發(fā)表的研究展示了單電子控制下高保真度和均勻性的量子比特。 英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文，展示了領先的自旋量子比特均勻性、保真度和測量數(shù)據(jù)。這項研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴展（構建容錯量子計算機的必要條件）奠定了基礎。 發(fā)表于：5/15/2024 東芝HAMR、MAMR機械硬盤技術雙雙突破 30TB 大關 東芝 HAMR、MAMR 機械硬盤技術雙雙突破 30TB 大關，后者業(yè)界首次實現(xiàn) 11 盤片 發(fā)表于：5/15/2024 OpenAI發(fā)布最新升級的大模型GPT-4o 5月14日消息，在今天凌晨的OpenAI發(fā)布會上，最新升級的大模型GPT-4o正式發(fā)布。 GPT-4o的“o”代表“omni”。該詞意為“全能”，源自拉丁語“omnis”，在英語中“omni”常被用作詞根，用來表示“全部”或“所有”的概念。 GPT-4o可以實時對音頻、視覺和文本進行推理，能處理超過50種不同的語言，并且速度和質量大大提升。 發(fā)表于：5/14/2024 零一萬物發(fā)布千億參數(shù)閉源模型Yi-Large 對標 GPT 4.0，李開復旗下 AI 公司零一萬物發(fā)布千億參數(shù)閉源模型 Yi-Large 5 月 13 日消息，零一萬物創(chuàng)始人兼 CEO 李開復今日發(fā)布了千億參數(shù)閉源模型 Yi-Large，他表示 Yi-Large 的多數(shù)指標可對標甚至是超越 GPT 4.0。該模型在斯坦福大學最新的 AlpacaEval 2.0 評估中，全球大模型勝率（Win Rate）排第一、文本長度誤差的勝率（LC Win Rate）排第二。 發(fā)表于：5/14/2024 vivo自研藍心大模型升級“自研AI多模態(tài)大模型” vivo 自研藍心大模型升級“自研 AI 多模態(tài)大模型” 發(fā)表于：5/14/2024 Anthropic宣布在歐洲推出Claude聊天機器人 Anthropic宣布在歐洲推出Claude聊天機器人，精通多種語言 發(fā)表于：5/14/2024 Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進水平的小型頂側冷卻 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年5月7日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。與前代器件相比，Vishay Siliconix n溝道SiHR080N60E導通電阻降低27 %，導通電阻與柵極電荷乘積，即600 V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）下降60 %，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時減小占位面積。 發(fā)表于：5/13/2024 大聯(lián)大世平集團推出基于易沖半導體產(chǎn)品的磁吸無線快充方案 2024年5月7日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于易沖半導體（ConvenientPower）CPS8200芯片的磁吸無線快充方案 發(fā)表于：5/13/2024 ?…51525354555657585960…?
