今日早些時候，SK海力士發(fā)布公告，表示公司已經(jīng)在本月開始批量生產(chǎn)基于 1anm 工藝的8千兆（Gb）的LPDDR4移動 DRAM的量產(chǎn)。據(jù)介紹，這是SK海力士的第四代 10nm 工藝技術(shù)。

　　由于半導(dǎo)體行業(yè)對 10nm DRAM 產(chǎn)品進(jìn)行分類，以字母命名，因此 1a 技術(shù)是繼 1x、1y 和 1z 的前三代之后的第四代技術(shù)。SK海力士計劃從2021年下半年開始向智能手機(jī)制造商提供最新的移動DRAM產(chǎn)品。

　　SK海力士強(qiáng)調(diào)，這是公司在1ynm DRAM部分采用，證明尖端光刻技術(shù)穩(wěn)定性后，首次采用EUV設(shè)備進(jìn)行DRAM的批量量產(chǎn)。

　　隨著技術(shù)遷移繼續(xù)向超微級發(fā)展，越來越多的半導(dǎo)體公司采用 EUV 設(shè)備進(jìn)行光刻工藝，在晶圓表面繪制電路圖案。行業(yè)專家認(rèn)為，一家半導(dǎo)體公司在技術(shù)上的領(lǐng)先地位將取決于它如何充分利用 EUV 設(shè)備。SK hynix 計劃將 EUV 技術(shù)用于生產(chǎn)其所有 1anm DRAM 產(chǎn)品，因為它已經(jīng)證明了該工藝的穩(wěn)定性。

　　SK海力士期待新技術(shù)帶來生產(chǎn)力的提升，并進(jìn)一步提升成本競爭力。該公司預(yù)計，與之前的 1znm 節(jié)點(diǎn)相比，1anm 技術(shù)將使相同尺寸的晶圓生產(chǎn)的 DRAM 芯片數(shù)量增加 25%。SK海力士預(yù)計，隨著全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也可能有助于緩解全球市場的供需狀況。

　　SK海力士指出，新產(chǎn)品穩(wěn)定運(yùn)行4266Mbps，是標(biāo)準(zhǔn)LPDDR4移動DRAM規(guī)范中最快的傳輸速率，并降低了20%的功耗。對于 SK 海力士來說，這是一項有意義的成就，因為它旨在減少二氧化碳排放，作為其對環(huán)境、社會和治理 （ESG） 管理承諾的一部分。

　　SK 海力士將從明年初開始將其 1anm 技術(shù)應(yīng)用于其 DDR5 產(chǎn)品，該產(chǎn)品是2020 年 10 月推出的全球首款下一代 DRAM 。

　　SK hynix 副總裁Cho Youngmann表示：“隨著生產(chǎn)力和成本競爭力的提高，最新的 1anm DRAM 不僅有助于確保高盈利能力，而且通過早期采用 EUV 光刻技術(shù)，鞏固 SK 海力士作為領(lǐng)先技術(shù)公司的地位用于批量生產(chǎn)?！?/p>

　　為了滿足公司的EUV需求，在今年二月，南韓記憶體大廠SK海力士宣布與艾司摩爾（ASML）達(dá)成一項為期5年的采購合約，向后者購入價值約43.4億美元的EUV光刻機(jī)設(shè)備。

　　SK 海力士透過監(jiān)管文件表示，這筆交易是為了下一代晶片工藝制程的大規(guī)模生產(chǎn)作準(zhǔn)備。

　　日經(jīng)此前報導(dǎo)稱，為擴(kuò)充芯片產(chǎn)能，SK海力士已耗資約31.3億美元于首爾打造新產(chǎn)線M16，計劃今年下半年啟動量產(chǎn)。

　　根據(jù)上述報導(dǎo)，M16產(chǎn)線主要生產(chǎn)第4代10納米制程的DRAM記憶體。當(dāng)時預(yù)計，若包含EUV等設(shè)備成本在內(nèi)，至少需投入140億美元于M16廠。

　　三大DRAM大廠啟動EUV制程競賽

　　據(jù)Digitimes報道，繼南韓記憶體大廠三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）相繼導(dǎo)入極紫外光曝光設(shè)備（EUV）量產(chǎn)10納米級DRAM記憶體生產(chǎn)，原本態(tài)度不明的美光（Micron）也釋出將編列資本支出向荷蘭ASML采購EUV設(shè)備。

　　盡管美光在未使用EUV設(shè)備下，近來大幅縮小與競爭對手的差距，并正式量產(chǎn)出貨1α制程，但據(jù)推測，美光于2024年開始采用EUV設(shè)備投入生產(chǎn)，將可望導(dǎo)入于1c或1d制程量產(chǎn)，將掀起記憶體大廠新一波銀彈攻勢與先進(jìn)技術(shù)競逐的角力賽。

　　在DRAM制程推進(jìn)下，三星電子2020年率先宣布將采用EUV技術(shù)量產(chǎn)1z納米制程DRAM，但初期僅針對1個層（layer）采用EUV制程；如今三星和SK海力士分別計劃將于2021年使用EUV應(yīng)用于量產(chǎn)1α納米DRAM，在國際三大DRAM巨擘中，僅有美光并未積極推動EUV設(shè)備，外界也不時傳出美光有意招聘人才，并研究導(dǎo)入EUV設(shè)備規(guī)劃。

　　隨著美光在第3財季（截至6月3日）的財報表現(xiàn)亮眼，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra維持先前樂觀看法，2022年底前NAND Flash以及DRAM供給將依然吃緊，且價格將維持高檔。

　　根據(jù)美光資料，DRAM位元出貨量雖然季增低個位數(shù)百分比成長，但ASP單價卻上漲達(dá)20%，反應(yīng)出DRAM供給吃緊帶動價格強(qiáng)勁走揚(yáng)，成為2021年產(chǎn)業(yè)獲利成長的金雞母，業(yè)界認(rèn)為，三大DRAM廠雖然不愿大幅擴(kuò)充產(chǎn)能打壞市場價格，但祭出重金投資DRAM設(shè)備及生產(chǎn)效率才能維持產(chǎn)業(yè)競爭力的優(yōu)勢。

　　美光指出，2021年度整體資本支出將超過95億美元，其中，將有部分支出跟采購EUV設(shè)備有關(guān)，這也是美光近年來首度正面釋出EUV設(shè)備投資的看法，主要是考量到EUV設(shè)備需要很長的交期，因而必須對EUV設(shè)備訂單提前下單，美光高層指出，將會于2024年開始采用EUV設(shè)備投入生產(chǎn)。

　　美光位于臺灣臺中后里A3廠近日正式啟用，并從2021年初進(jìn)入1α奈米制程節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)出貨，據(jù)指出，美光最早曾在1z納米制程曾討論過采用EUV設(shè)備，因此當(dāng)初A3廠進(jìn)行內(nèi)部設(shè)計規(guī)劃時，不僅預(yù)先準(zhǔn)備EUV制程的空間，甚至特地將整體廠房的樓層打掉后再全面調(diào)高，而自動運(yùn)輸系統(tǒng)設(shè)計也配合進(jìn)行調(diào)整，不過基于成本考量，美光至今仍采用浸潤式設(shè)備及配合其他制程來提升量產(chǎn)效率。

　　由于EUV曝光機(jī)每臺要價約達(dá)1.8億美元左右，在近年來謹(jǐn)慎擴(kuò)產(chǎn)的營運(yùn)策略下，美光也指出，目前臺灣美光的晶圓廠已具備導(dǎo)入EUV制程的能力與條件，但內(nèi)部仍在研究與評估階段，將依照生產(chǎn)成本、效率、投資回報率等條件配合才考慮導(dǎo)入。

　　記憶體業(yè)界指出，美光采用EUV設(shè)備態(tài)度是三家DRAM大廠中最為保守，但近年來全球EUV設(shè)備產(chǎn)能確實是供不應(yīng)求，雖然三星電子提前業(yè)界采用EUV設(shè)備量產(chǎn)1z納米，不過1z納米推動進(jìn)度卻并未維持領(lǐng)先，反導(dǎo)致競爭對手趁隙追趕。

　　雖然相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，EUV技術(shù)有利于提升三星生產(chǎn)效率，并縮小DRAM 的節(jié)點(diǎn)設(shè)計尺寸，但原本領(lǐng)先業(yè)界開發(fā)先進(jìn)制程的腳步卻也逐漸被拉近。

　　在EUV設(shè)備需求強(qiáng)勁下，ASML預(yù)期2021年EUV設(shè)備出貨介于45~50臺，2022年預(yù)估出貨量達(dá)到55臺，并全面改為新一代設(shè)備，新設(shè)備可協(xié)助客戶的每天晶圓曝光量提升15~20 %。

　　隨著臺積電提升資本支出至300億美元，用于建置5奈米及3奈米EUV產(chǎn)能，三星晶圓代工及記憶體同步擴(kuò)充EUV生產(chǎn)線，SK海力士加碼投資M16工廠，目前已安裝完成首條EUV生產(chǎn)線，從2021年下半正式量產(chǎn)1α制程DRAM，而美光可望于2023年~2024年進(jìn)行轉(zhuǎn)換至1c制程，屆時可望加入眾家國際大廠EUV設(shè)備量產(chǎn)的行列。