3 月 28 日消息,SK 海力士 CEO 郭魯正在昨日舉行的年度股東大會上表示,今年 HBM 在整體 DRAM 內(nèi)存的銷售占比將達(dá)到兩位數(shù),明年供應(yīng)情況依舊緊張。
在回答股東為何 SK 海力士在 AI 爆火、HBM 熱銷的去年仍出現(xiàn) 9 萬億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 482.4 億元人民幣)凈虧損的提問時(shí),郭魯正表示這是因?yàn)檎间N售額絕大部分的常規(guī) DRAM 產(chǎn)品價(jià)格下滑,而 HBM 雖然火爆但去年銷售額占比僅有個(gè)位數(shù)。
除了 HBM 的占比提升,這位 CEO 還稱由于常規(guī) DRAM 內(nèi)存價(jià)格從去年四季度開始好轉(zhuǎn),內(nèi)存業(yè)務(wù)整體盈利能力將全面改善。
而在 NAND 閃存、固態(tài)硬盤方向,郭魯正稱 SK 海力士將調(diào)整策略方向,從關(guān)注市場份額轉(zhuǎn)向提升盈利能力,繼續(xù)推進(jìn)高利潤產(chǎn)品組合,因?yàn)槿ツ甑拇竽懲顿Y遭遇了嚴(yán)重虧損。
對于圖像傳感器 CIS 業(yè)務(wù),SK 海力士正在進(jìn)行重組,沒有退出這部分業(yè)務(wù)的計(jì)劃。
此外在技術(shù)層面,郭魯正認(rèn)為 HBM 內(nèi)存將針對客戶需求進(jìn)行定制,逐漸擺脫通用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的身份。韓媒 The Elec 稱 SK 海力士已收到來自谷歌的定制 HBM 訂單。
對于中國產(chǎn)能,SK 海力士方面表示已收到了升級許可,可將無錫工廠的 DRAM 工藝更新至 1a nm 制程。