9 月 12 日消息,韓媒 The Elec 當?shù)貢r間本月 4 日報道稱,SK 海力士未來將在 HBM 領域采取質(zhì)量優(yōu)先的整體策略,專注于尖端 HBM 內(nèi)存的開發(fā)與量產(chǎn),而傳統(tǒng) HBM 產(chǎn)品則將被逐步淘汰。
在三星電子計劃把 HBM 內(nèi)存的組裝檢測工藝外包給控股子公司 STeco 的同時,SK 海力士仍計劃自行內(nèi)部解決 HBM 生產(chǎn)的全部工序,在進一步提升 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能上較為保守。
▲ SK 海力士利川廠區(qū)
不過 SK 海力士仍計劃將位于利川的 M10F 小型工廠(IT之家注:目前生產(chǎn) DRAM 產(chǎn)品)轉(zhuǎn)移到 HBM 生產(chǎn)上來,以提升 HBM3E 供應能力。
韓媒表示 SK 海力士利川 M10F 工廠的基礎設施改造已經(jīng)啟動,目標到 2025 年四季度實現(xiàn) HBM3E 內(nèi)存量產(chǎn)。一位來自合作方的匿名員工表示,該企業(yè)已收到 SK 海力士的采購訂單,正式采購將于今年 4 季度開始,2025 年一季度進行設備安裝。
SK 海力士目前的 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能為每月 14 萬片晶圓,業(yè)界人士預計 M10F 完全投入運營后可提供每月 1 萬片晶圓的產(chǎn)能,相當于將產(chǎn)量提升 7%。
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